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2025年集成电路技术试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.3nm以下先进制程中，解决短沟道效应的核心晶体管结构是（）

A.平面MOSFET

B.FinFET

C.环绕栅极晶体管（GAA）

D.双栅极晶体管（DG-MOSFET）

2.EUV光刻技术在2nm节点大规模应用时，最关键的工艺挑战是（）

A.掩模缺陷率控制

B.光刻胶分辨率

C.光源功率稳定性

D.多重曝光层数增加

3.RISC-V架构相比ARM的核心优势在于（）

A.固定指令集提高兼容性

B.完全开源的可扩展指令集

C.更高的单核性能

D.更成熟的生态支持

4.2.5D封装中，实现多芯片间高速互联的关键载体是（）

A.有机基板

B.硅中介层（SiliconInterposer）

C.扇出型封装（Fan-out）

D.玻璃中介层

5.存算一体芯片中，用于替代传统DRAM的新型存储单元主要是（）

A.闪存（NAND）

B.阻变存储器（RRAM/ReRAM）

C.静态随机存储器（SRAM）

D.磁阻存储器（MRAM）

6.碳基半导体（如碳纳米管、石墨烯）相比硅基材料的突出优势是（）

A.制备工艺更成熟

B.载流子迁移率更高

C.与现有产线兼容

D.热稳定性更好

7.Chiplet（小芯片）技术推广的主要瓶颈是（）

A.单个芯片面积过大

B.接口标准化不足

C.制造成本过高

D.封装密度不够

8.神经形态芯片的核心设计目标是模拟（）

A.冯诺依曼架构的存储-计算分离

B.人脑神经元与突触的信息处理方式

C.GPU的并行计算能力

D.FPGA的可重构特性

9.异质集成技术中，不同材料（如硅、III-V族化合物）集成的最大挑战是（）

A.热膨胀系数不匹配

B.载流子迁移率差异

C.禁带宽度不同

D.表面粗糙度控制

10.先进封装（如CoWoS、HBM）对摩尔定律的补充作用主要体现在（）

A.缩小晶体管尺寸

B.降低单晶体管成本

C.提升系统级功能集成度

D.简化制造工艺

二、填空题（每空1分，共20分）

1.3nm以下制程中，GAA晶体管的典型结构包括纳米片（Nanosheet）和__________。

2.EUV光刻机的光源波长为__________nm，其光学系统需在真空环境中工作以避免__________吸收。

3.RISC-V架构通过__________设计支持灵活扩展，适用于物联网、汽车电子等多样化场景。

4.2.5D封装中，硅中介层的TSV（硅通孔）直径通常小于__________μm，以实现高密度互联。

5.存算一体芯片通过将__________与__________集成在同一单元，减少数据搬运能耗。

6.碳基半导体的主要制备工艺包括化学气相沉积（CVD）和__________，但目前__________问题限制了其大规模应用。

7.Chiplet技术的标准化接口协议主要有__________（如UCIe）和__________（如OpenHBI）。

8.神经形态芯片的计算单元通常包含__________（模拟突触权重）和__________（模拟神经元激活）。

9.异质集成中的键合技术可分为__________（如氧化物键合）和__________（如金属键合）。

10.先进封装通过__________（如HBM2e）和__________（如CoWoS-S）技术，实现高带宽、低延迟的芯片互联。

三、简答题（每题8分，共40分）

1.简述FinFET向GAA晶体管过渡的技术逻辑。

2.分析EUV光刻在2nm以下节点面临的主要挑战及应对策略。

3.RISC-V架构为何能推动集成电路开源生态的快速发展？

4.2.5D/3D封装中，如何解决多芯片堆叠带来的散热问题？

5.存算一体技术对AI计算的优化体现在哪些方面？

四、综合分析题（每题10分，共20分）

1.从工艺、材料、设计三个维度，分析7nm到2nm制程节点的技术演进路径。

2.结合当前产业趋势，论述Chiplet技术对集成电路设计、制造、封装产业链的影响。

答案

一、单项选择题

1.C2.A3.B4.B5.B6.B7.B8.B9.A10.C

二、填空题

1.纳米线（Nanowire）

2.13.5；气体（或氧气）

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