电池的特殊工艺.pptVIP

电池的特殊工艺第1页，共29页，星期日，2025年，2月5日主要特殊工艺绒面的制备扩散方法的改进制作背面场金属电极的制作透明电极的制作第2页，共29页，星期日，2025年，2月5日一、绒面的制备1、绒面介绍外貌类似“倒金字塔”状的一个个小锥体是由相交晶面形成的。绒面电池的硅表面通常平行于（100）面，倒金字塔由（111）面相交而成。配一副图片教材P82第3页，共29页，星期日，2025年，2月5日2、绒面的特点优点：使入射光有两次机会进入电池，总的反射为33％×33％=11％，比光滑硅片的反射率33％低很多；入射光经反射使入射光能够更接近在电池表面被吸收，增加载流子的收集几率。一、绒面的制备第4页，共29页，星期日，2025年，2月5日缺点：绒面工艺过程操作增加难度绒面能吸收所有波长的光，使电池表面的温度升高，降低电池效率表面制备金属电极难度加大，会消耗更多的金属材料一、绒面的制备第5页，共29页，星期日，2025年，2月5日制备原理：硅的各向异性腐蚀剂通常采用碱性溶剂。在氢氧化钠、氢氧化钾、联氨、乙二胺或硅酸钠的水溶液里，水是氧化剂。添加醇类能起络合作用，如异丙醇、n-丙醇、仲丁醇或邻苯二酚。在高浓度的碱、联氨的水溶液中，氧化与络合两种作用同时存在一、绒面的制备第6页，共29页，星期日，2025年，2月5日腐蚀液对不同晶面的腐蚀速率差别很大，100方向的腐蚀速率比111方向的腐蚀速率高达10倍以上。在水、乙二胺、邻苯二酚腐蚀剂中，（100）、（110）和（111）的腐蚀速率分别近似于50：30：3（微米/小时）。一、绒面的制备第7页，共29页，星期日，2025年，2月5日制备方法一:在60%的联氨（N2H4）水溶液中，加热到90℃，腐蚀30分钟，腐蚀速率为1.6微米/分，腐蚀深度可达48微米。一、绒面的制备第8页，共29页，星期日，2025年，2月5日制备方法二:19%的氢氧化钾水溶液中，在80℃时腐蚀120分钟，腐蚀速率为0.59微米/分。腐蚀深度可达71微米。一、绒面的制备第9页，共29页，星期日，2025年，2月5日制备方法三:0.7~1.0%的氢氧化锂水溶液，用无水乙醇作为分散剂，温度大于90℃，腐蚀6分钟以上，可得黑色均匀的绒面。一、绒面的制备第10页，共29页，星期日，2025年，2月5日制备方法四:腐蚀液中氢氧化钠与异丙醇的质量配比为1：7，配制浓度合适的NaOH溶液（浓度在2~3%之间左右，原因如下：由于硅表面的平均反射率与少数载流子的寿命是判断单晶硅绒面制作成功的主要参数，通过查阅文献发现：在90℃的条件下，单晶硅片表面的平均反射率在NaOH的浓度为2%时最低，降低到16%。同时，NaOH的腐蚀液质量的浓度越大，载流子的寿命就越高，在质量浓度为3%的NaOH腐蚀液在90℃腐蚀20min所得的载流子寿命最长，为0.8994us。）一、绒面的制备第11页，共29页，星期日，2025年，2月5日二、扩散方法的改进标准工艺中我们讲到的是扩散批量生产制作pn结，通过改进工业中用离子注入的方法连续的掺杂制作pn结离子注入的定义（后续）第12页，共29页，星期日，2025年，2月5日离子注入概述最早应用于原子物理和核物理研究提出于1950’s1970’s中期引入半导体制造领域第13页，共29页，星期日，2025年，2月5日离子注入离子注入是另一种对半导体进行掺杂的方法。将杂质电离成离子并聚焦成离子束，在电场中加速而获得极高的动能后，注入到硅中（称为“靶”）而实现掺杂。离子注入定义第14页，共29页，星期日，2025年，2月5日离子注入与扩散的比较扩散离子注入第15页，共29页，星期日，2025年，2月5日扩散离子注入高温，硬掩膜900－1200℃低温，光刻胶掩膜室温或低于400℃各向同性各向异性不能独立控制结深和浓度可以独立控制结深和浓度注入与扩散的比较第16页，共29页，星期日，2025年，2月5日离子注入控制离子束流密度和注入时间控制杂质浓度（注入离子剂量）离子能量控制结深杂质分布各向异性第17页，共29页，星期日，2025年，2月5日ImplantationProcess:WellImplantation第18页，共29页，星期日，2025年，2月5日三、制作背面场背面场通过掺杂的方式在电池背面建立一个重掺杂区，重掺杂区和较轻掺杂的体区之间的界面能够起到低复合速度表