第9章 功率电路及系统.pptVIP

9—3—2功率MOS器件有许多适合大功率运行的MOS器件，其中突出的代表是VMOS管和双扩散MOS管。VMOS管的结构剖面图如图9—25所示。第94页，共143页，星期日，2025年，2月5日图9—25VMOS管的结构剖面图第95页，共143页，星期日，2025年，2月5日与BJT管比较，VMOS具有许多优点：(1)输入阻抗大，所需驱动电流小，功率增益高。(2)温度稳定性好，漏极电阻为正温度系数，当器件温度上升时，电流受到限制，不可能产生热击穿，也不可能产生二次击穿。(3)没有BJT管的少子存贮问题，加之极间电容小，所以开关速度快，适合高频工作(工作频率达几百kHz甚至于几MHz)。在VMOS基础上加以改进，目前又出现了双扩散MOS管(简称DMOS)。此类管子在承受高电压、大电流，速度快等性能方面又有不少提高。第96页，共143页，星期日，2025年，2月5日9—3—3绝缘栅—双极型功率管(IGBT)及功率模块?一、IGBT的等效电路及符号IGBT的等效电路和符号如图9—26所示。它综合了MOS管输入阻抗大、驱动电流小和双极型管导通电阻小、高电压、大电流的优点。当MOS管栅压大于开启电压后，出现漏极电流。该电流就是双极型晶体管的基极电流，从而使BJT管导通，且趋向饱和(管压降很低，电位很大)。当MOS管栅压减小使沟道消失时，ID=0，IB=0,管子截止。IGBT具有许多优点，但工作频率不太高，一般小于50kHz左右。第97页，共143页，星期日，2025年，2月5日图9—26绝缘栅—双极型功率管(IGBT)(a)等效电路；(b)符号第98页，共143页，星期日，2025年，2月5日二、功率模块功率模块有许多，有达林顿电路模块、各种MOS管或BiFET组件等。图9—27(a)给出一种高速大功率CMOS器件(TC4420/29系列)，其脉冲峰值电流高达6A，开关速度高达25ns，使用十分方便，而且能带动大电容负载(CL≥1000pF)。图9—27(b)是由两块TC4420组成的桥式电路，驱动电机或陀螺正、反向转动。第99页，共143页，星期日，2025年，2月5日图9—27高速大功率CMOS器件(a)内部电路；(b)由TC4420组成的桥式功率电路第100页，共143页，星期日，2025年，2月5日目前，还出现了许多高速大功率运算放大器(PowerOperationalAmplifiers)，如OPA2544、3583等。OPA2544的最大输出电流为2A，电源电压范围±10V~±35V，压摆率为8V/μs，其封装和引脚图如图9—28所示。而OPA3583的电源电压高达±70V~±150V，输出电流为75mA，压摆率达30V/μs。OPA2544和OPA3583的输入级为场效应管，输出级为互补跟随器。第101页，共143页，星期日，2025年，2月5日图9—28功率运算放大器OPA2544的外形图及管脚图(a)外形图；(b)管脚图第102页，共143页，星期日，2025年，2月5日图9—14用“硅桥”实现正、负两路直流输出的全波整流电路第62页，共143页，星期日，2025年，2月5日9—2—2串联反馈型线性稳压电源的工作原理一、电路常用稳压电路有串联反馈型稳压电路和开关型稳压电路。首先，我们介绍最常用的串联型稳压电源。串联型稳压电源的框图如图9—15所示。图中“调整环节”就是一个射极输出器。取样环节是将输出电压的变化样品取来，加到一个误差比较放大器的反相输入端，与同相输入端的基准电压相比较。第63页，共143页，星期日，2025年，2月5日图9—15串联型稳压电源框图第64页，共143页，星期日，2025年，2月5日二、主要参数1.主要指标1)稳压系数SS表示输出电压相对变化量与输入电压相对变化量之比，即(9—32)第65页，共143页，星期日，2025年，2月5日2)输出电阻RoRo表示负载变化(IL变化)