低副瓣有源相控阵天馈系统中的一体化设计.pdfVIP

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第24卷第lo期电子与信息学报Vol24Nolo

EIJ卜CTRoNICSANDIN}oRhIATl0NTECHNoLO(;Yoct2002

2002年10月JoURNALoF

低副瓣有源相控阵天馈系统中的一体化设计1

殷连生

(南京电子技术研究所南京2l()013)

摘要i毒文提出低副瓣有源相控阵天馈乐统中的体化设汁方法,从几个主要^而阐进如f可进行体化

|殳计.在2x48元天线阵上试验.实测波船的峰值副瓣电平和蔗渡瓣零深均在一31dB“1:,当波潜扫描

至土6I)。时.其峰值副潜电甲不高于一265dB,表明一体化设汁的必要性.

关键词冉源相控阵,低副瓣,一体化设计

TN82

中囝号A

l引言

丰f『控阵天线是以阵列天线为基础的,比较复杂,尤其是有源相控阵天线,}}i于T/R组件的

加入使问题变得更为复杂,但是它使天线具有更优良的性能和设计灵活性.阵列天馈系统的传

统设计方法宵3个过程:(1)将所需的空间波瓣变换到天线口径上抽样点的电流分布函数;(2)

把电流分布函数变换到馈电网络输出端的功率分配函数;(3)用馈电网络实现所需的功率比.

影响天线波瓣性能的主要因素是口径上的幅相分布函数及其误差,误差对主瓣影响较小,对副

瓣影响较大.引起幅相误差的凶素不仅是天线本身,还有馈电系统、T/R组件等.因此.作为

有源相控阵天馈线系统必须一体化设计,才能获得满意的性能/价格比.

2一体化设计考虑

不计误差时,阵列天线的波瓣计算公式为

^fⅣ

F(日,妒)=∑∑k。e一’孥‘…“…‘……………。1(1)

l=1,l=l

式中,。。为辐射单元上的电流抽样值;出,由为单元间距;A为工作波长.

南(1)式可见,天线口径上的幅度分布函数和相位分布函数直接影响天线的波瓣性能

考虑误差时,阵列天线的波瓣计算公式为

F(p,妒),P△m+△e

。∑一。∑㈦

式中△?n.△n和d。,h分别是口径电流的幅相随机误差.

由f2)式可见天线口径上的幅相误差也会影响天线的波瓣性能,尤螬对副瓣电平的影响非

常显著。用统计理论可以预测有误差情况下平均副瓣电平恶化的概率㈦图l给出平均副瓣电

平恶化的累积概率曲线.由图1可见给定平均副瓣电平抬高的分贝值和相应的累积概率就可以

确定一个参数口’,一’与天线设计参数(Ⅳ,q)和口径电流幅相均方根误差(一^,口m)的关系如

f3)式所示:

2000—11—24收到,2001-04—26定稿

万方数据

10期股连幸:低副瓣有源相控阵天馈系统中的一悼化i2计1413

l。

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