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半导体器件试题及答案

一、选择题（每题3分，共30分）

1.本征半导体中，自由电子和空穴的浓度关系是（）。

A.自由电子浓度大于空穴浓度

B.自由电子浓度小于空穴浓度

C.自由电子浓度等于空穴浓度

D.不确定

答案：C。本征半导体是完全纯净的、具有晶体结构的半导体，在本征半导体中，自由电子和空穴是成对出现的，所以它们的浓度相等。

2.PN结加正向电压时，其正向电流是（）。

A.多子扩散形成的

B.少子扩散形成的

C.多子漂移形成的

D.少子漂移形成的

答案：A。当PN结加正向电压时，外电场方向与内电场方向相反，削弱了内电场，使多子的扩散运动增强，多子扩散形成正向电流。

3.稳压二极管工作在（）状态。

A.正向导通

B.反向截止

C.反向击穿

D.不确定

答案：C。稳压二极管是利用二极管反向击穿特性来实现稳压的，工作在反向击穿状态，在一定的电流范围内，其两端电压基本保持不变。

4.三极管工作在放大区时，发射结和集电结的偏置情况是（）。

A.发射结正偏，集电结正偏

B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结正偏

D.发射结反偏，集电结反偏

答案：B。三极管工作在放大区的条件是发射结正偏，集电结反偏，此时三极管具有电流放大作用。

5.场效应管是一种（）控制型器件。

A.电压

B.电流

C.功率

D.电阻

答案：A。场效应管是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的，是电压控制型器件。

6.某三极管的三个电极电位分别为V1=2V，V2=1.3V，V3=7V，则该三极管是（）。

A.NPN型硅管

B.NPN型锗管

C.PNP型硅管

D.PNP型锗管

答案：B。首先判断管子类型，因为V3最高，V2最低，且V1V2=0.7V（硅管）或0.3V（锗管），这里V1V2=0.7V，所以是NPN型。又因为差值为0.7V，所以是锗管。

7.共发射极放大电路的输出电压和输入电压的相位关系是（）。

A.同相

B.反相

C.相差90°

D.不确定

答案：B。共发射极放大电路具有倒相作用，输出电压和输入电压相位相反。

8.多级放大电路的总电压放大倍数等于（）。

A.各级电压放大倍数之和

B.各级电压放大倍数之积

C.各级电压放大倍数的平均值

D.不确定

答案：B。多级放大电路的总电压放大倍数等于各级电压放大倍数的乘积。

9.为了提高放大电路的输入电阻，应引入（）负反馈。

A.电压

B.电流

C.串联

D.并联

答案：C。串联负反馈可以提高放大电路的输入电阻。

10.正弦波振荡电路的振荡条件是（）。

A.AF=1，φA+φF=2nπ（n=0，1，2，…）

B.AF1，φA+φF=2nπ（n=0，1，2，…）

C.AF1，φA+φF=2nπ（n=0，1，2，…）

D.AF=0，φA+φF=2nπ（n=0，1，2，…）

答案：A。正弦波振荡电路的振荡条件是幅值条件AF=1和相位条件φA+φF=2nπ（n=0，1，2，…）。

二、填空题（每题2分，共20分）

1.杂质半导体分为______型半导体和______型半导体。

答案：N；P。N型半导体是在本征半导体中掺入五价杂质形成的，多子是自由电子；P型半导体是在本征半导体中掺入三价杂质形成的，多子是空穴。

2.PN结的单向导电性是指PN结加正向电压时______，加反向电压时______。

答案：导通；截止。正向电压使多子扩散运动增强，PN结导通；反向电压使多子扩散运动减弱，少子漂移运动增强，但少子数量很少，PN结截止。

3.二极管的主要参数有______、______和反向电流等。

答案：最大整流电流；最高反向工作电压。最大整流电流是指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流；最高反向工作电压是指二极管正常工作时所能承受的最大反向电压。

4.三极管的三个工作区域是______、______和饱和区。

答案：放大区；截止区。三极管在放大区具有电流放大作用，在截止区和饱和区相当于开关的断开和闭合状态。

5.场效应管按结构可分为______场效应管和______场效应管。

答案：结型；绝缘栅型。结型场效应管是利用PN结的反向偏置来控制导电沟道的宽窄；绝缘栅型场效应管是利用绝缘栅上的电压来控制导电沟道的宽窄。

6.放大电路的静态工作点是指输入信号为______时，三极管的______、______和UCE的值。

答案：零；IB；IC。静态工作点是放大电路正常工作的基础，它决