硅片制绒工艺zhejianguniversity17课件.pptVIP

新型制绒工艺：新型制绒工艺：Rena浮法链式制绒（解决热排放问题）；缓冲液调节制绒（控制自催化以及热量生成问题）；放弃传统制绒体系衍生的新制绒体系。多晶制绒槽式多晶制绒：槽式批量制绒方式比较适合单晶，但对多晶酸制绒，由于反应过程放热量很大，而多晶酸制绒又需要一个低的制绒温度，因此对设备的冷却系统以及溶液循环系统有很高的要求。多晶制绒槽式多晶制绒：设备改进方向：1、花篮齿间距尽量大，降低单批生产硅片数量；2、大流量，强循环酸液致冷；3、制绒过程中酸循环。工艺改进方向：1、降低制绒过程热积累；2、防止硅片表面酸雾形成。拟采取的实验方向：添加缓冲剂进行多晶制绒。多晶制绒NaOH的作用：中和残余酸液：H++OH-=H2OHCl+HF的作用：进一步去除金属离子，去除硅片表面氧化层，在硅片表面形成Si-H钝化键。多晶制绒多晶制绒小结：尽管多晶制绒可选方法很多，但综合成本及最终效果，当前产业所用多晶制绒工艺均为HNO3，HF，DIWater混合液体系制绒。多晶制绒基本要求为：绒面连续均匀；反射率低；腐蚀量适中。常见不良为绒面大小不合适，制绒后，硅片反射率高等。多晶制绒关键点为温度控制及酸液浓度配比控制。硅片制绒工艺zhejianguniversity 制备绒面的目的减少光的反射率，提高短路电流，以致提高光电转换效率陷光原理当光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率绒面光学原理单晶制绒单晶制绒流程：预清洗+制绒预清洗目的：通过预清洗去除硅片表面脏污，以及部分损伤层。机械损伤层（5-7微米）硅片单晶制绒预清洗方法：1、10%NaOH，78oC，50sec；2、①1000gNaOH，65-70oC(超声)，3min；②1000gNa2SiO3+4LIPA，65oC，2min。2NaOH+Si+H2O=Na2SiO3+2H2SiO32-+3H2O=H4SiO4+2OH-单晶制绒预清洗原理：1、10%NaOH，78oC，50sec；利用浓碱液在高温下对硅片进行快速腐蚀。损伤层存在时，采用上述工艺，硅片腐蚀速率可达5μm/min；损伤去除完全后，硅片腐蚀速率约为1.2μm/min。经腐蚀，硅片表面脏污及表面颗粒脱离硅片表面进入溶液，从而完成硅片的表面清洗。经50sec腐蚀处理，硅片单面减薄量约3μm。采用上述配比，不考虑损伤层影响，硅片不同晶面的腐蚀速率比为:(110):(100):(111)=25：15：1，硅片不会因各向异性产生预出绒，从而获得理想的预清洗结果。缺点：油污片处理困难，清洗后表面残留物去除困难。单晶制绒预清洗原理：2、①1000gNaOH，65-70oC(超声)，3min；②1000gNa2SiO3+4LIPA，65oC，2min。①利用NaOH腐蚀配合超声对硅片表面颗粒进行去除；②通过SiO32-水解生成的H4SiO4(原硅酸)，以及IPA对硅片表面有机物进行去除。单晶制绒单晶绒面：绒面一般要求：制绒后，硅片表面无明显色差；绒面小而均匀。单晶绒面显微结构（左：金相显微镜；右：扫描电镜）单晶制绒制绒原理：简言之，即利用硅在低浓度碱液中的各向异性腐蚀，即硅在(110)及(100)晶面的腐蚀速率远大于(111)晶面的腐蚀速率。经一定时间腐蚀后，在(100)单晶硅片表面留下四个由(111)面组成的金字塔，即上图所示金字塔。根据文献报道，在较低浓度下，硅片腐蚀速率差异最大可达V(110)：V(100)：V(111)=400：200：1。尽管NaOH(KOH)，Na2SiO3，IPA(或乙醇)混合体系制绒在工业中的应用已有近二十年，但制绒过程中各向异性