2025年中国碳化硅行业简析报告.docxVIP

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ANALYSIS

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2025

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01.行业定义：第三代半导体主流材料

·碳化硅是一种由碳和硅元素组成的化合材料，具有较高硬度和优异的物理化学性能。碳化硅材料拥有耐高压、耐高频、高热导性、高温稳定性、高折射率等特点，可作为诸多行业实现降本增效的关键性材料。

·碳化硅材料率先促进半导体行业变革，并开始在更多领域渗透并和硅基技术相互补充。相较硅基半导体，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体从材料端至器件端的性能优势突出，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温等特点，是未来半导体行业发展的重要方向。

·当前半导体材料市场主要由第一代半导体材料硅(Si)及第三代半导体材料氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)主导。2024年，硅占据市场份额的83.4%,碳化硅约占15.1%,氮化镓则约占1.5%。

半导体材料的发展进程

第一代第二代第三代

材料

硅砷化镓、磷化铟碳化硅、氮化镓

优势

硅储量丰富且成本低，应用最为广泛

可实现从真空管到紧凑型电子设备转换

更快电子迁移率，可实现高频传输

强化电子特性，提高电子强度及抗辐照性，

器件尺寸精巧，节能环保

产业化进程

制造工艺成熟且接近最优，但已达到物理性能极限，性能提升空间小

化合物半导体在高频高功率领域逐步产业化

宽禁带半导体处于产业化应用初期，生产工艺复杂，

仍有提升空间

应用

广泛应用于信息化及自动化各个领域，消费电子、汽车电子、通信等

光电领域，毫米波装置、卫星通信等

5G、物联网、电动汽车、光电等领域

数据来源：公开数据整理；嘉世咨询研究结论；图源网络

02.行业发展：从技术突破到产业化，未来将进入全球扩张周期

·2008年之前，碳化硅产业尚处于萌芽阶段，其发展源于关键技术的突破。1978年，PVT晶体生长法成功改良，以此为基础，20世纪80年代末至2000年初，CREE等公司推动其初步产业化。2001年，英飞凌推出首款商用SiC二极管，正式开启商业化应用。

·步入21世纪10年代，技术成熟度大幅提升，产业进入培育期。SiCMOSFET实现量产，应用领域拓展至光伏、工业驱动等市场；英飞凌、CREE推出一系列SiCFET产品，2014年，CREE量产了SiC

IGBT。

·2018年，特斯拉Model3大规模采用SiC模块，这一标志性事件极大提振行业信心，直接引爆市场需求。2020年至今，行业进入全球快速扩张与竞争新阶段，产能竞赛加剧，晶圆尺寸向8英寸迈进，

厂立执l土十市六大+土庄六n成士一雨二↓从On收大△出内In□+二R二T+八冲命华7#从丘上

碳化硅行业的发展历程

萌芽期(1980-2007)

萌芽期(1980-2007)培育期(2008-2015)发展期(2016-至今)

·2008年发布了第一个增强型SICFET。

·2011年CREE、ROHM量产SICMOSFET,

碳化硅推进产业化。

·2012年英飞凌发布1200V的SICFET。

·CREE6英寸SIC产品量产。

·2015年ROHM量产1200VSIC产品。

·8英寸SIC晶圆诞生，SIC进入8英寸时代。

·意法半导体推出汽车级SIC产品，SIC进入汽车领域应用。

·2017年，ROHM推出高可靠1700VSIC产品，SIC持续向高功率发展。

·2018年特斯拉大规模采用SIC模块，推动SIC在新能源汽车渗透。

·1987年CREE建设第一条SIC产线，1998

年推出GAN-ON-SIC。