第四章 存储器.ppt

3.可擦除、可编程的ROM(EPROM)EPROM的编程方法与PROM不同。在EPROM中，信息的存储是通过电荷分布来决定的，所以，编程过程就是一个电荷注入过程。编程结束后，尽管撤除了电源，但是，由于绝缘层的包围，注入的电荷无法泄漏，因此，电荷分布能维持不变，即EPROM也是一种非易失性的存储器件。擦除方法：利用专用的紫外线灯对准芯片上的石英窗口照射30分钟左右，即可擦除原写入的信息。这种方法只能把存储的信息全部擦除后再重新写入，它不能只擦除个别单元或某几位的信息，而且擦除的时间也很长。*第29页，共74页，星期日，2025年，2月5日4.可用电擦除的、可编程的ROM(E2PROM)这种存储器解决了上述问题。当需要改写某存储单元的信息时，只要让电流通入该存储单元，就可以将其中的信息擦除并重新写入信息，而其余未通入电流的存储单元的信息仍然保留。用这种方法改写数万次，只需要0.1s-0.6s，信息的存储时间可达十余年之久，这给需要经常修改程序和参数的应用领域带来极大的方便。常见的EEPROM芯片有2815、2816、2817等。*第30页，共74页，星期日，2025年，2月5日三、EPROM芯片举例常见的EPROM芯片有2716(2K?8位)、2732(2K?8位)2764(8K?8位)、27128(16K?8位)、27256(32K?8位)、27512(64K?8位)等；以Intel2764为例，对EPROM的性能和工作方式作一个简单的介绍。1.Intel2764的引脚信号2764EPROM芯片的容量为8K?8位。如图所示*第31页，共74页，星期日，2025年，2月5日共有28个引脚，其中有13条地址引腿(A0-A12),8条数据引腿(D0-D7)，2个电压输入端VPP和Acc，1个芯片允许端CE，1个输出允许端OE，1个编程控制端PGM，1个地端及1个引脚未用OE*第32页，共74页，星期日，2025年，2月5日2.Intel2764的工作方式信号端工作方式VccVppCEOEPGMD7?D0读方式+5V+5V低低低输出编程方式+5V+25V高高正脉冲输入校验方式+5V+25V低低低输出备用方式+5V+5V无关无关高高阻*第33页，共74页，星期日，2025年，2月5日8.7存储器的连接本节主要解决两个问题：一个是存储器容量扩充问题，即如何用容量较小、字长较短的存储芯片，组成微机系统所需的存储器。二是存储器与CPU的连接方法与应注意的问题。*第34页，共74页，星期日，2025年，2月5日一、存储器的扩充1.位数的扩充用一位或4位的存储芯片构成8位的存储器，可采用位并联的方法。在连接时，各芯片的数据线分别接到数据总线的各位，而将地址线、片选CS及读/写控制线相应并联在一起。例如：用8片2K?1位的芯片组成容量为2K?8位的存储器。连接示意图见图a*第35页，共74页，星期日，2025年，2月5日*第36页，共74页，星期日，2025年，2月5日例如：用2片1K?4位的芯片组成1K?8位的存储器*第37页，共74页，星期日，2025年，2月5日2.地址的扩充当扩充容量（即字扩展）时，采用地址串联的方法。此扩充方法是仅在字向扩充，而位数不变，因此将芯片的地址线、数据线、读/写控制线并联，而由片选信号来区分各片地址，故片选信号端连接到片选译码器的输出端。也就是将存储器高位地址译码产生若干不同片选信号，对存储器芯片进行片选。低位地址线直接送往各芯片，以选择片内的某个单元。*第38页，共74页，星期日，2025年，2月5日例如：用16K?8位的存储器芯片组成64K?8位存储器，则需要4片芯片。地址分配如下表所示。其连接线路如下图所示。A15A14A13?A0容量芯片号00?…?4K第1芯片01?…?4K第1芯片10?…?4K第1芯片11?…?4K第1芯片*第39页，共74页，星期日，2025年，2月5日*第40页，共74页，星期日，2025年，2月5日3.存储器芯片组成的存储矩阵和存储模块当需要同时扩充位数与容量时，可以将上述两种方法结合起来使用。