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供配电工程师《电力电子强化(实践应用)》2024-2025学年第一学期检测试卷及答案
一、选择题(本大题总共15小题,每题2分,共30分)
1.以下哪种电力电子器件属于半控型器件?()
A.晶闸管B.绝缘栅双极晶体管C.电力场效应晶体管D.可关断晶闸管
答案:A
解析:晶闸管是半控型器件,门极只能控制其开通,不能控制其关断。绝缘栅双极晶体管、电力场效应晶体管和可关断晶闸管都属于全控型器件。
2.单相桥式全控整流电路,电阻性负载,当控制角α增大时,输出直流电压Ud()。
A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小
答案:B
解析:在电阻性负载的单相桥式全控整流电路中,Ud=0.9U2cosα,当α增大时,cosα减小,所以Ud减小。
3.三相半波可控整流电路,电阻性负载,输出电压平均值Ud的计算公式为()。
A.Ud=1.17U2cosαB.Ud=2.34U2cosαC.Ud=0.45U2(1+cosα)D.Ud=0.9U2cosα
答案:A
解析:三相半波可控整流电路电阻性负载时,Ud=1.17U2cosα。
4.晶闸管触发电路中,若使控制电压UC=0,改变()的大小,可使直流电动机负载电压Ud=0,使触发角α=90°。
A.同步电压B.控制电压C.偏移调正电压D.脉冲变压器变比
答案:C
解析:偏移调正电压可改变控制角的起始值,当UC=0时,改变偏移调正电压大小可使α=90°,Ud=0。
5.绝缘栅双极晶体管的英文缩写是()。
A.GTOB.GTRC.IGBTD.MOSFET
答案:C
解析:IGBT是绝缘栅双极晶体管的英文缩写。
6.电力电子技术的核心是()。
A.电力半导体器件B.变流技术C.控制技术D.电能质量改善技术
答案:B
解析:变流技术是电力电子技术的核心,通过电力半导体器件实现电能的变换。
7.直流斩波电路中,降压斩波电路的输出电压平均值Ud与输入电压Uin的关系是()。
A.UdUinB.Ud=UinC.UdUinD.不确定
答案:C
解析:降压斩波电路输出电压平均值Ud=αUin,α1,所以UdUin。
8.三相桥式全控整流电路,电感性负载,当触发角α=30°时,输出直流电压Ud()。
A.Ud=2.34U2cosαB.Ud=2.34U2C.Ud=0.9U2cosαD.Ud=0.9U2
答案:A
解析:三相桥式全控整流电路电感性负载时,Ud=2.34U2cosα。
9.晶闸管导通的条件是()。
A.阳极和阴极间加正向电压,门极不加电压
B.阳极和阴极间加反向电压,门极加正向电压
C.阳极和阴极间加正向电压,门极加正向触发电压
D.阳极和阴极间加反向电压,门极加反向触发电压
答案:C
解析:晶闸管导通需阳极和阴极间加正向电压且门极加正向触发电压。
10.单相半波可控整流电路,电阻性负载,晶闸管承受的最大反向电压为()。
A.U2B.√2U2C.2U2D.√3U2
答案:B
解析:单相半波可控整流电路电阻性负载时,晶闸管承受的最大反向电压为√2U2。
11.以下哪种电路可以实现有源逆变?()
A.单相半波可控整流电路B.桥式整流电路C.三相半波可控整流电路D.以上都可以
答案:C
解析:三相半波可控整流电路在一定条件下可实现有源逆变,单相半波可控整流电路一般不能实现有源逆变,桥式整流电路不是可控整流电路。
12.电力电子器件的损耗主要包括()。
A.通态损耗B.断态损耗C.开关损耗D.以上都是
答案:D
解析:电力电子器件损耗包括通态损耗、断态损耗和开关损耗。
13.直流电动机调速系统中,采用晶闸管整流器供电时,可实现的调速方法是()。
A.调压调速B.调磁调速C.串电阻调速D.变频调速
答案:A
解析:晶闸管整流器供电时可通过调压实现直流电动机调速。
14.三相桥式全控整流电路,电阻性负载,当触发角α=60°时,输出直流电压Ud为()。
A.Ud=2.34U2cos60°B.Ud=2.34U2C.Ud=0.9U2cos60°D.Ud=0.9U2
答案:A
解析:代入公式Ud=2.34Ucosα可得。
15.晶闸管的额定电流是用()来表示的。
A.有效值B.平均值C.最大值D.瞬时值
答案:B
解析:晶闸管额定电流用平均值表示。
二、填空题(本大题总共5题,每题4分,共20分)
1.电力电子技术是应用于电力领域的电子技术,它是由电力学、
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