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第1页，共17页，星期日，2025年，2月5日
§2.1固态振荡器的一般理论振荡器换能器：DC→AC放大器：G→∞非线性电路负阻振荡的基本原理直流静态电阻永远为非负值R=V/I≥0负阻是就动态电阻而言的，即器件V-A特性曲线上某处的斜率r=dv/di0第2页，共17页，星期日，2025年，2月5日
振荡的三种条件只考虑稳态振荡时器件中的电流基波分量i(t)=Acos(ωt+φ)设器件的微分阻抗和电路阻抗分别为Zd(A)=-Rd(A)+jXd(A)Zc(ω)=Rc(ω)+jXc(ω)则起振条件Rd(A)Rc(ω)平衡条件Zd(A)+Zc(ω)=0稳定条件第3页，共17页，星期日，2025年，2月5日振荡器噪声分析注入锁定第4页，共17页，星期日，2025年，2月5日
§2.2IMPATT振荡器
1958年Read提出模型
1965年Johnston首次从工作在雪崩区的p+n二极管中观察到了微波振荡
单双漂结构对比单漂区（SDR） 双漂区（DDR） 结构 p+-n-n+ p+-p-n-n+ 漂移区数量 1 2 结面积 较小 较大 输出功率 较小 较大 工艺复杂性和成本 较低 较高 第5页，共17页，星期日，2025年，2月5日
§2.3Gunn振荡器1963年Gunn发现在外加电场作用下半导体能级间电子转移产生负阻效应RWH（Radley,Watkins,Hilsum）双谷理论模型1964年Kromer证明了二者是同一种效应第6页，共17页，星期日，2025年，2月5日
Gunn与IMPATT对比与IMPATT对比，Gunn器件不是结效应器件，而是体效应器件，也称电子转移器件优点：噪声低，适合作低噪声本振缺点：输出功率较低第7页，共17页，星期日，2025年，2月5日
§6.1鳍线振荡器鳍线振荡器=鳍线谐振器+有源器件鳍线谐振器用一段带有偏置电路和适当调谐电路的鳍线制作有源器件可以是Gunn、IMPATT等二端器件，也可以是FET、HEMTFET等三端器件简单的鳍线振荡器鳍线压控振荡器平面柱鳍线振荡器周期栅鳍线振荡器单栅鳍线振荡器鳍线FET振荡器第8页，共17页，星期日，2025年，2月5日并联双管合成振荡器P=P1+P2理论合成效率可达100%串联双管合成振荡器P=2(P1+P2)理论合成效率可达200%这是因为串联可使Gunn管比单个时有更大的负阻，也更容易与阻抗较高的传输线匹配关键：等幅同相合成第9页，共17页，星期日，2025年，2月5日鳍线串联双管合成振荡器Gunn二极管和串联双管合成振荡器的等效电路鳍线串联双Gunn管合成振荡器的输出功率鳍线串联双Gunn管合成振荡器的输出功率稳定度和频率稳定度第10页，共17页，星期日，2025年，2月5日§2.5二端器件倍频源倍频器将交流能量转换为其谐波频率的交流能量，与振荡器将直流能量转换为交流能量不同。倍频器与其说是信号源，不如说是频率变换电路。第11页，共17页，星期日，2025年，2月5日倍频器分类按功能：信号倍频功率倍频按器件：二端电抗性二极管变容二极管阶跃二极管电阻性二极管三端变容二极管的非线性特性结电容结电容变化系数γ=1/3缓变结γ=1/2突变结γ1超突变结第12页，共17页，星期日，2025年，2月5日
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