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2025工艺整合校招题目及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.以下哪种不是常见的光刻技术？

A.紫外光刻

B.电子束光刻

C.离子束光刻

D.激光切割光刻

2.化学机械抛光（CMP）主要用于？

A.去除表面杂质

B.平整芯片表面

C.刻蚀图案

D.金属沉积

3.以下哪种气体常用于等离子体刻蚀？

A.氧气

B.氮气

C.氯气

D.氢气

4.半导体制造中，外延生长是指？

A.在衬底上生长一层新的晶体层

B.去除表面氧化层

C.对芯片进行封装

D.测试芯片性能

5.扩散工艺的主要目的是？

A.改变半导体材料的电学性能

B.清洗晶圆表面

C.提高芯片散热能力

D.增强芯片机械强度

6.以下哪种光刻胶是正性光刻胶？

A.酚醛树脂光刻胶

B.环化橡胶光刻胶

C.聚甲基丙烯酸甲酯光刻胶

D.环氧树脂光刻胶

7.离子注入后通常需要进行？

A.退火处理

B.氧化处理

C.刻蚀处理

D.沉积处理

8.薄膜沉积中，物理气相沉积（PVD）不包括？

A.溅射

B.蒸发

C.化学气相沉积

D.分子束外延

9.以下哪个不是衡量光刻分辨率的指标？

A.线宽

B.间距

C.景深

D.电压

10.芯片制造中，光刻的作用是？

A.定义芯片电路图案

B.连接芯片引脚

C.检测芯片缺陷

D.封装芯片

多项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体工艺整合中涉及的主要步骤有？

A.光刻

B.刻蚀

C.薄膜沉积

D.测试封装

2.光刻工艺的关键要素包括？

A.光刻胶

B.光刻机

C.掩膜版

D.曝光光源

3.刻蚀工艺可分为？

A.干法刻蚀

B.湿法刻蚀

C.等离子体刻蚀

D.电化学刻蚀

4.薄膜沉积技术包括？

A.化学气相沉积（CVD）

B.物理气相沉积（PVD）

C.原子层沉积（ALD）

D.电镀沉积

5.离子注入工艺的特点有？

A.精确控制杂质浓度

B.低温工艺

C.可实现三维掺杂

D.无需退火处理

6.化学机械抛光（CMP）的优点有？

A.全局平坦化

B.去除速率高

C.表面质量好

D.成本低

7.半导体制造中常用的气体有？

A.硅烷

B.氨气

C.四氟化碳

D.氩气

8.光刻分辨率受哪些因素影响？

A.曝光波长

B.数值孔径

C.光刻胶性能

D.光刻机精度

9.芯片封装的主要作用有？

A.保护芯片

B.散热

C.电气连接

D.美观

10.工艺整合中需要考虑的因素有？

A.工艺兼容性

B.成本

C.生产效率

D.环保要求

判断题（每题2分，共10题）

1.光刻是半导体制造中定义电路图案的关键工艺。（）

2.湿法刻蚀比干法刻蚀更适合高精度图案刻蚀。（）

3.化学气相沉积（CVD）只能沉积无机薄膜。（）

4.离子注入后不需要进行退火处理。（）

5.化学机械抛光（CMP）可以实现芯片表面的全局平坦化。（）

6.光刻分辨率与曝光波长成正比。（）

7.物理气相沉积（PVD）是一种高温工艺。（）

8.芯片封装不影响芯片的性能。（）

9.工艺整合只需要考虑工艺的先进性，不需要考虑成本。（）

10.半导体制造中，光刻胶只有正性光刻胶一种。（）

简答题（每题5分，共4题）

1.简述光刻工艺的基本流程。

光刻基本流程为涂胶，在晶圆表面均匀涂光刻胶；曝光，用光刻机通过掩膜版对光刻胶曝光；显影，去除曝光或未曝光部分光刻胶；坚膜，增强光刻胶与晶圆结合力。

2.化学机械抛光（CMP）的原理是什么？

CMP原理是化学腐蚀和机械研磨协同作用。抛光液中的化学物质与晶圆表面材料发生化学反应，生成容易去除的产物，再通过抛光垫的机械摩擦去除产物，实现表面平整。

3.离子注入工艺有哪些优点？

离子注入可精确控制杂质浓度和注入深度，能实现低温掺杂，可对特定区域进行三维掺杂，还能在不同晶体取向材料上均匀掺杂，广泛用于半导体制造。

4.简述芯片封装的重要性。

芯片封装可保护芯片免受物理和化学损伤，提供散热通道，保证芯片正常工作温度；实现芯片与外界电气连接，还可将芯片固定在电路板上，便于安装和使用。

讨论题（每题5分，共4题）

1.讨论光刻技术在半导体工艺整合中的重要性。

光刻定义芯片电路图案，决定芯片性能和功能。其分辨率影响芯片集成度，先进光刻技术可制造更小尺寸芯片。光刻与其他工艺配合，保证图案精确转移，是实现高性能半导体器件的关键。

2.分析化学机械抛光（CMP）在先进芯片制造中的挑战与机遇。

挑战在于对不同材料抛光速率和表面质量控制难，易产生划痕等缺陷，成本较高。机遇是随着芯片尺寸缩小，对全局平坦化要