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2025工艺整合招聘面试题及答案

单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种不是常见的光刻技术？

A.紫外光刻

B.电子束光刻

C.离子束光刻

D.火焰光刻

2.化学机械抛光（CMP）主要用于？

A.去除表面杂质

B.平整芯片表面

C.增加芯片厚度

D.改变芯片颜色

3.以下哪种气体常用于等离子体刻蚀？

A.氧气

B.氢气

C.氮气

D.氩气

4.半导体制造中，扩散工艺的主要目的是？

A.改变半导体的导电类型

B.提高半导体的透明度

C.增强半导体的磁性

D.降低半导体的硬度

5.光刻工艺中，光刻胶的作用是？

A.保护芯片

B.形成图形

C.散热

D.绝缘

6.以下哪种薄膜沉积方法属于物理气相沉积（PVD）？

A.化学气相沉积（CVD）

B.原子层沉积（ALD）

C.溅射沉积

D.电镀

7.离子注入工艺中，注入离子的能量主要影响？

A.注入离子的种类

B.注入离子的浓度

C.注入离子的深度

D.注入离子的颜色

8.清洗工艺中，常用的清洗剂是？

A.酒精

B.水

C.氢氟酸

D.以上都是

9.以下哪种工艺用于制造金属互连？

A.光刻

B.刻蚀

C.电镀

D.氧化

10.半导体制造中，氧化工艺主要用于？

A.形成绝缘层

B.增加芯片亮度

C.提高芯片柔韧性

D.降低芯片成本

多项选择题（每题2分，共20分）

1.光刻工艺的主要步骤包括？

A.涂胶

B.曝光

C.显影

D.刻蚀

2.化学机械抛光（CMP）的优点有？

A.全局平整性好

B.去除速率高

C.表面损伤小

D.成本低

3.等离子体刻蚀的特点有？

A.各向异性刻蚀

B.刻蚀速率快

C.选择性好

D.无污染

4.半导体制造中的清洗工艺可以去除？

A.颗粒杂质

B.有机物杂质

C.金属杂质

D.气体杂质

5.以下哪些属于薄膜沉积工艺？

A.物理气相沉积（PVD）

B.化学气相沉积（CVD）

C.原子层沉积（ALD）

D.电镀

6.离子注入工艺的优点有？

A.精确控制杂质浓度

B.低温工艺

C.可实现大面积注入

D.成本低

7.光刻胶的性能指标包括？

A.灵敏度

B.分辨率

C.对比度

D.粘附性

8.半导体制造中，常用的金属材料有？

A.铝

B.铜

C.金

D.银

9.氧化工艺可以形成的氧化层有？

A.二氧化硅

B.氮化硅

C.氧化铝

D.氧化锌

10.工艺整合中需要考虑的因素有？

A.工艺兼容性

B.成本

C.生产效率

D.产品性能

判断题（每题2分，共20分）

1.光刻工艺是半导体制造中最重要的工艺之一。（）

2.化学机械抛光（CMP）只能用于平整芯片表面，不能去除杂质。（）

3.等离子体刻蚀只能进行各向异性刻蚀，不能进行各向同性刻蚀。（）

4.清洗工艺在半导体制造中只需要进行一次。（）

5.物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）的原理相同。（）

6.离子注入工艺可以精确控制杂质的浓度和深度。（）

7.光刻胶的灵敏度越高，曝光时间越短。（）

8.半导体制造中，金属互连只能使用铝。（）

9.氧化工艺只能在高温下进行。（）

10.工艺整合的目的是将各个工艺环节有机结合，提高产品质量和生产效率。（）

简答题（每题5分，共20分）

1.简述光刻工艺的基本原理。

光刻利用光刻胶感光特性，通过掩膜版将设计图形投影到涂有光刻胶的晶圆上，经曝光、显影，光刻胶形成与掩膜版对应的图形，为后续刻蚀等工艺做准备。

2.化学机械抛光（CMP）的作用是什么？

CMP用于全局平整芯片表面，去除表面高低起伏，使芯片表面达到高度平整，保证后续工艺的均匀性和准确性，提高芯片性能和良率。

3.离子注入工艺的主要应用有哪些？

主要应用于改变半导体导电类型，精确控制杂质浓度和分布，制造PN结，调整阈值电压等，是制造高性能半导体器件的关键工艺。

4.清洗工艺在半导体制造中的重要性体现在哪些方面？

清洗可去除晶圆表面颗粒、有机物、金属等杂质，防止杂质影响后续工艺和器件性能，保证芯片良率和可靠性，是确保半导体制造质量的基础环节。

讨论题（每题5分，共20分）

1.讨论工艺整合中如何平衡成本和产品性能。

可通过优化工艺步骤，减少不必要环节降低成本；选用性价比高的材料和设备；同时在关键工艺保证性能，如光刻精度等，在成本可控下提升产品竞争力。

2.分析光刻工艺对半导体制造发展的影响。

光刻决定了芯片最小特征尺寸，推动芯片集成度提升，促进摩尔定律发展；先进光刻技术使高性能芯片成为可能，影响着半导体产业的技术水平和