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2025工艺整合校招真题及答案

一、单项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体工艺中，光刻的主要目的是（）

A.去除杂质B.定义图形C.增加导电性D.提高硬度

2.以下哪种气体常用于化学气相沉积（CVD）工艺？（）

A.氧气B.氮气C.硅烷D.氢气

3.离子注入的作用是（）

A.改变材料颜色B.改变材料的电学性质C.提高材料的韧性D.增强材料的磁性

4.湿法刻蚀和干法刻蚀相比，湿法刻蚀的优点是（）

A.各向异性好B.刻蚀速率快C.对设备要求高D.污染小

5.氧化工艺中，干氧氧化和湿氧氧化相比，干氧氧化的特点是（）

A.氧化速率快B.氧化层质量好C.温度低D.成本低

6.化学机械抛光（CMP）的主要作用是（）

A.去除表面杂质B.平整表面C.增加表面光泽D.提高表面硬度

7.以下哪种工艺用于制造集成电路中的金属互连？（）

A.光刻B.刻蚀C.电镀D.氧化

8.半导体制造中，晶圆清洗的主要目的是（）

A.去除表面有机物B.去除表面金属杂质C.去除表面颗粒D.以上都是

9.以下哪种材料常用于制造半导体器件的衬底？（）

A.玻璃B.陶瓷C.硅D.塑料

10.工艺整合的核心目标是（）

A.提高产量B.降低成本C.实现器件性能要求D.缩短生产周期

二、多项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体工艺中常见的薄膜沉积方法有（）

A.物理气相沉积（PVD）B.化学气相沉积（CVD）C.电镀D.热氧化

2.光刻工艺的主要步骤包括（）

A.涂胶B.曝光C.显影D.刻蚀

3.离子注入工艺中需要控制的参数有（）

A.离子能量B.离子剂量C.注入角度D.注入时间

4.刻蚀工艺的选择需要考虑的因素有（）

A.刻蚀速率B.刻蚀选择性C.各向异性D.表面粗糙度

5.氧化工艺的类型有（）

A.干氧氧化B.湿氧氧化C.水汽氧化D.低压氧化

6.化学机械抛光（CMP）工艺中涉及的因素有（）

A.抛光垫B.抛光液C.压力D.转速

7.半导体制造中的清洗工艺可以分为（）

A.湿法清洗B.干法清洗C.超声清洗D.等离子清洗

8.工艺整合中需要考虑的因素有（）

A.工艺兼容性B.设备利用率C.成本控制D.产品良率

9.集成电路制造中的多层布线技术包括（）

A.金属互连B.绝缘层C.通孔D.接触孔

10.半导体工艺中的杂质扩散工艺可以分为（）

A.预扩散B.主扩散C.离子注入扩散D.热扩散

三、判断题（每题2分，共10题）

1.光刻工艺是半导体制造中定义图形的关键工艺。（）

2.离子注入只能用于n型半导体的掺杂。（）

3.湿法刻蚀的各向异性比干法刻蚀好。（）

4.氧化工艺可以提高硅表面的绝缘性能。（）

5.化学机械抛光（CMP）只能用于平整晶圆表面。（）

6.晶圆清洗只需要去除表面的有机物。（）

7.工艺整合只需要考虑单个工艺的优化。（）

8.多层布线技术可以提高集成电路的集成度。（）

9.杂质扩散工艺中，扩散温度越高，扩散速率越快。（）

10.半导体工艺中的所有工艺步骤都需要在洁净室中进行。（）

四、简答题（每题5分，共4题）

1.简述光刻工艺的基本原理。

光刻利用光刻胶感光特性，先在晶圆涂光刻胶，通过掩膜版用特定波长光照射，使光刻胶发生光化学反应，经显影后光刻胶图形转移到晶圆，为后续刻蚀等工艺定义图形。

2.离子注入工艺有哪些优点？

离子注入能精确控制杂质种类、剂量和深度；可在低温下进行，减少热效应；注入均匀性好，能实现大面积均匀掺杂；可实现特定区域掺杂，提高器件性能。

3.化学机械抛光（CMP）的作用和原理是什么？

作用是平整晶圆表面，提高表面平整度和全局平坦化。原理是在压力和旋转作用下，抛光液中的磨料与晶圆表面发生化学反应和机械摩擦，去除表面材料，达到平整效果。

4.工艺整合的主要任务是什么？

工艺整合任务是将各单元工艺合理组合，确保工艺兼容性；优化工艺顺序和参数，实现器件性能要求；提高产品良率、产量，降低成本；协调设备使用，保障生产高效稳定。

五、讨论题（每题5分，共4题）

1.讨论光刻工艺中分辨率的影响因素及提高分辨率的方法