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项目一光伏电池制备的准备 任务二硅片分检标准硅片分检主要从以下三个方面进行：尺寸外观性能以156mm×156mm的硅片为例。任务二硅片分检标准1、尺寸主要从边长、倒角、对角线、厚度等几个方面进行衡量。（1）边长156mm156mm单晶硅片多晶硅片156?0.5mm任务二硅片分检标准（2）倒角指晶片边缘通过研磨或腐蚀整形加工成一定角度，以消除晶片边缘尖锐状态，避免在后续加工中造成边缘损失，可防止晶片边缘破裂，防止热应力集中，并增加薄膜层在晶片边缘的平坦度。0.5~2mm450?100多晶硅片单晶硅片：900?30任务二硅片分检标准单晶硅片(156X156mm)（3）对角线常见的200?0.3mm任务二硅片分检标准（4）厚度常见156mm×156mm的单晶硅片、多晶硅片的厚度为200μm，厚度范围为200μm?20μm1）尺寸分选的目的在于检测硅块开方、倒角和切片中出现的缺陷，以避免出现尺寸偏大或偏小；2）采用抽检的方式或进行检测，每一支晶棒、硅块抽5-10片进行检测；3）测量工具：游标卡尺、同心刻度模板、非接触厚度测试仪。任务二硅片分检标准2、外观（1）破片主要是观察硅片是否有破损情况，如有破损则不能使用。任务二硅片分检标准（2）线痕硅块在多线切割时，在硅片表面留下的一系列条状凸纹和凹纹交替形状的不规则线痕。常见的线痕主要有短线焊线后线痕、密集线痕、普通线痕、凹痕、凸痕、凹凸痕、亮线、台阶等。在156*156mm的硅片中，线痕的要求是≤10μm，常见的线痕问题及晶片线痕要求如图任务二硅片分检标准任务二硅片分检标准硅片上有明显的发亮的线痕，将该类线痕称之为亮线。对于亮线的规格要求，只考亮线的粗糙度，不考虑亮线的条数。规格≤10μm任务二硅片分检标准（3）裂纹有裂纹的硅片，主要是裂纹易延伸到晶片表面，造成晶片的解理或断裂，也可能没有穿过晶片的整个厚度，但造成晶片的破片。常见有裂纹的晶片如图任务二硅片分检标准（4）缺角主要是由于倒角、切片、清洗等工艺过程中所造成。常见的缺角不良品如图任务二硅片分检标准（5）翘曲度主要指的是硅片中心面与基准面最大、最小距离差距的差值。翘曲度过大的硅片在组件层压工艺中易碎片。硅片翘曲度的要求一般为50μm。有翘曲度的硅片及翘曲度的测量工具如图任务二硅片分检标准（6）弯曲度弯曲度是硅片中心面明显凹凸形变的一种变量，弯曲度过大的硅片在组件层压工艺中易碎片，对于156×156mm硅片的要求一般为≤75μm。弯曲的硅片与检测工具如图：弯曲度一硅片中心偏离基准平面的距离。任务二硅片分检标准（7）针孔材料在长晶时，混有微小的金属杂质，这些杂质在长晶过程中进入晶体，切片后在制绒阶段杂质被腐蚀掉，出现针孔。对于硅片的要求应该无针孔。不良品如图任务二硅片分检标准（8）微晶微晶是指每颗晶粒只由几千个或几万个晶胞并置而成的晶体，从一个晶轴的方向来说这种晶体只重复了约几十个周期。对于多晶硅片、单晶硅片微晶常常表现为微晶脱落，对于硅片的要求为微晶脱落不能超过两处。如图为具有微晶现象的多晶硅片，图中的微晶面积2cm2、晶粒数超过了10个，1cm长度上的晶粒数超过了10个。任务二硅片分检标准（9）缺口缺口一般在硅片的边缘与倒角处，常见的为上下贯穿边缘的缺损，如图任务二硅片分检标准（10）崩边崩边一般为晶片表面或边缘非有意地造成脱落材料的区域，由传送或放置样品等操作所引起的，崩边的尺寸由样品外形的正投影上所测量的最大径向深度和圆周弦长确定。对于常见156×156mm的硅片，崩边的要求为：崩边个数≤2个、深度〈0.3mm、长度〈0.5mm。常见有崩边的硅片如图任务二硅片分检标准（11）污物污物一般为半导体晶片上的尘埃、晶片表面的污染物，且不能用预检查溶剂清洗去除。对于晶片的要求为无污物。常见有污物的晶片杂质主要有：氮化硅和碳化硅、水痕。任务二硅片分检标准3、硅片性能测试电阻率测试导电类型TTV少子寿命测试内容任务二硅片分检标准（1）电阻率测试某种物质所制成的原件（常温下20°C）的电阻与横截面积的乘积与长度的比值叫做这种物质的电阻率ρ=RS/L电阻率为荷电载体通过材料受阻程度的一种量度，用来表示各种物质电阻特性的物理量，符号为ρ，单位为Ω?cm。156×156mm硅片的电阻率规格为0.5~3Ω?cm。任务二硅片分检标准（2）导电类型半导体导电类型根据掺杂剂的选择与掺