电子技术基础模拟部分(第六版)：ch07-模拟集成电路.pptVIP

华中科技大学

电子技术基础模拟部分

1绪论

2运算放大器

3二极管及其基本电路

4场效应三极管及其放大电路

5双极结型三极管及其放大电路

6频率响应

7模拟集成电路

8反馈放大电路

9功率放大电路

10信号处理与信号产生电路

11直流稳压电源

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7模拟集成电路

7.1模拟集成电路中的直流偏置技术

7.2差分式放大电路

7.3差分式放大电路的传输特性

*7.4带有源负载的差分放大电路

7.5集成运算放大器

7.6实际集成运算放大器的主要参数和对应用电

路的影响

7.7变跨导式模拟乘法器

7.8放大电路中的噪声与干扰

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7.1模拟集成电路中的

直流偏置技术

7.1.1FET电流源电路

7.1.2BJT电流源电路

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7.1.1FET电流源电路

1.MOSFET镜像电流源

T1、T2的参数全同

只要满足VGSVTN

必有VDS1VGS-VTN

T1一定工作在饱和区

又因为VGS2=VGS1=VGS

T2漏极接负载构成回路后，只要

满足VDS2VGS-VTN，就一定工

作在饱和区，且有

VVV

IIIDDSSGS

OD2REFR

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7.1.1FET电流源电路

1.MOSFET镜像电流源

VVV

IIIDDSSGS

OD2REFR

再根据2

IREFID1KnVGSVTN

便可求出电流值

IO的电流值与Rd无关

Rd的值在一定范围内变化时

（VDS2VGS-VTN），IO的电流值将

保持不变，反映出IO的恒流特性。

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7.1.1FET电流源电路

1.MOSFET镜像电流源

动态电阻(交流电阻)

i

r(D2)1

ovVGS2

DS2

1

rds2

ID2

当器件具有不同的宽长比时

II(W/L)

OD22（=0）

IREFID1(W/L)1

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7.1.1FET电流源电路

1.MOSFET镜像电流源

用T3代替R，T1~T3特性相同

2

由于ID1ID3IREFKn(VGSVTN)

1

所以VV(VV)

GS3GS2DDSS

只要满足VDDVSS2VTN

T1~T3便可工作在饱和区

输出电流为

2

ID2Kn(VGSVTN)

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7.1.1FET电流源电路

2.串级镜像电流源

动态电阻更大，恒流特性更好

rords4rds2(1gmrds4)gmrds4rds2

需要注意，T4漏极接负载构

成回路后，需要满足

VDS4VGS4VTN4

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