高频基础知识.pptVIP

这样，就得到了图2.36（a）的、Ic1m随RP而变化的曲线。再由Ucm=RPIc1m的关系式看出，在欠压区由于Ic1m变化很小，因此Ucm随RP的增加而直线上升。进入过压区后，由于Ic1m随RP的增加而显著下降，因此Ucm随RP的增加而很缓慢地上升。近似地说，欠压时Ic1m几乎不变，过压时Ucm几乎不变。把欠压状态的放大器当作一个理想电流源；把过压状态的放大器当作一个理想电压源。第29页，共66页，星期日，2025年，2月5日※直流输入功率PV=IC0VCC。由于VCC不变，因此PV曲线与IC0曲线的形状相同。※交流输出功率P0=?Ic1mUcm，因此Po曲线可以从Ucm与Ic1m两条曲线相乘求出来。在临界状态，Po达到最大。※集电极耗散功率Pc=PV－Po，故Pc曲线可由PV与Po曲线相减而得。在欠压区内，当减小时，Pc上升很快。当时，Pc达到最大值，可能使晶体管烧坏。必须避免发生这种情况。功率与效率曲线第30页，共66页，星期日，2025年，2月5日在欠压时，PV变化很小，所以随Po的增加而增加；到达临界状态后，开始时因为Po的下降没有PV下降快，因而继续增加，但增加很缓慢。随着RP的继续增加，Po因Ic1m的急速下降而下降，因而略有减小。由此可知，在靠近临界的弱过压状态出现的最大值。效率第31页，共66页，星期日，2025年，2月5日欠压、过压、临界三种工作状态的特点：结论：欠压：恒流，Vcm变化，Po较小，ηc低，Pc较大；过压：恒压，Icm1变化，Po较小，ηc可达最高；临界：Po最大，ηc较高；最佳工作状态发射机末级中间放大级图6.3.7负载特性曲线欠压过压0临界Rp欠压过压0临界Rp第32页，共66页，星期日，2025年，2月5日三种工作状态的优缺点综合如下：①临界状态的优点是输出功率最大，也较高，可以说是最佳工作状态。这种工作状态主要用于发射机末级。②过压状态的优点是，当负载阻抗变化时，输出电压比较平稳；在弱过压时，效率可达最高，但输出功率有所下降。它常用于需要维持输出电压比较平稳的场合，例如发射机的中间放大级。③欠压状态的输出功率与效率都比较低，而且集电极耗散功率大，输出电压又不够稳定，因此一般较少采用。但在某些场合，例如基极调幅，就是利用改变使电路工作于欠压状态，这将在下面讨论。第33页，共66页，星期日，2025年，2月5日例2.1有一个用硅NPN外延平面型高频功率管：3DAl做成的谐振功率放大器，设已知Vcc=24V，P0=2W，工作频率=1MHz。试求它的能量关系。由晶体管手册已知其有关参数为fT≥70MHz，Ap（功率增益）≥13dB，ICmax750mA，UCE（sat）（集电极饱和压降）≥1.5V，PCM=1W。谐振功率放大器的计算（估算）举例第34页，共66页，星期日，2025年，2月5日解①由前面的讨论已知，工作状态最好选用临界状态。作为工程近似估算，可以认为此时集电极最小瞬时电压uCEmin=UCE（sat）=1.5V。于是Ucm=VCC?uCEmin=24?1.5V=22.5V②由式（2.3）得③选取?=70?，则由图2.31（或附录F）可知④则未超过电流安全工作范围。第35页，共66页，星期日，2025年，2月5日⑤⑥PV=IC0VCC=24×103×10?3W=2.47W⑦Pc=PV－Po=2.47?2=0.47（W）＜PCM⑧⑨由功率增益的定义在本例中求得所需的基极激励功率为第36页，共66页，星期日，2025年，2月5日振荡器的概念、电路结构组成及各部分的作用(P114)振荡器的起振条件、平衡条件与稳定条件，振荡器的性能指标(P116)LC三点式振荡器的分类、性能比较：电感三点式（哈特莱电路）与电容三点式（基本型：考毕兹电路，串联改进型：克拉泼电路，并联改进型：西勒电路）它们优缺点比较(P121)LC三点式振荡器的组成原则（相位平衡条件），反馈系数(P119)相关分析计算：等效电路、振荡频率、反馈系数等(P119)关于晶体振荡器：性能（与LC振荡器相比较：频率稳定度高）、对其等效电路及其串并联谐振频率的理解，对其应用电路：要求掌握并联型与串联型的电路结构以及晶体的等效作用等(P131)关于振荡器与频率合成器第37页，共66页，星期日，2025年，2月5日由于振荡器的信号一般指电压信号，故振荡条件也可表示如下：AuFu=1Uf=Ui按照选频网络的不同，反馈式正弦波振荡器可分为LC正