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2025年国家开放大学《物理电子学》期末考试复习题库及答案解析

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一、选择题

1.半导体材料的禁带宽度越大，则其（）

A.导电性越好

B.空穴浓度越高

C.热稳定性越好

D.光吸收系数越小

答案：C

解析：禁带宽度是半导体材料的重要物理量，它表示电子从价带跃迁到导带所需的能量。禁带宽度越大，意味着电子越难跃迁到导带，因此导电性越差。但同时，禁带宽度越大，材料的热稳定性越好，因为更高的能量阈值使得材料在较高温度下不易发生电离。空穴浓度与禁带宽度没有直接的关系，光吸收系数与禁带宽度成反比，禁带宽度越大，光吸收系数越小。因此，正确答案是热稳定性越好。

2.在PN结中，P区掺杂浓度高于N区时，其开启电压（）

A.增大

B.减小

C.不变

D.可能增大也可能减小

答案：A

解析：PN结的开启电压（也称为势垒电压）是由P区和N区的掺杂浓度决定的。当P区掺杂浓度高于N区时，P区的内建电场更强，因此势垒电压也会相应增大。这是因为P区有更多的受主杂质，导致P区的费米能级更接近导带，而N区的费米能级更接近价带，从而增加了两者之间的电势差。因此，正确答案是增大。

3.晶体三极管放大电路中，为了稳定静态工作点，通常采用（）

A.电压负反馈

B.电流负反馈

C.串联负反馈

D.并联负反馈

答案：B

解析：在晶体三极管放大电路中，为了稳定静态工作点，通常采用电流负反馈。电流负反馈可以减小输入电阻，增加输出电阻，从而稳定输出电流，进而稳定静态工作点。电压负反馈主要用于稳定输出电压，串联负反馈和并联负反馈分别适用于不同的电路结构。因此，正确答案是电流负反馈。

4.场效应晶体管的输出特性曲线中，随着栅源电压的增加，其导电沟道（）

A.变宽

B.变窄

C.不变

D.先变宽后变窄

答案：A

解析：场效应晶体管的输出特性曲线描述了漏源电压与漏极电流之间的关系，而漏极电流的大小又与导电沟道的宽度和形状有关。随着栅源电压的增加，栅极对沟道的吸引作用增强，导电沟道变宽，从而增加了漏极电流。因此，正确答案是变宽。

5.光电效应中，入射光的频率越高，则其（）

A.光子能量越小

B.光电子动能越大

C.光电子发射速率越高

D.光电子数量越多

答案：B

解析：光电效应是指光照射到金属表面时，金属表面会发射出电子的现象。根据爱因斯坦的光电效应方程，光电子的最大动能与入射光的频率成正比，与入射光的强度无关。入射光的频率越高，光子的能量越大（根据普朗克关系式E=hf），因此光电子的最大动能也越大。光电子的发射速率和数量与入射光的强度有关，而与频率无关。因此，正确答案是光电子动能越大。

6.半导体中，载流子的漂移运动是由于（）

A.载流子在电场作用下的定向运动

B.载流子与晶格碰撞的随机运动

C.载流子浓度的梯度

D.载流子的热运动

答案：A

解析：载流子的漂移运动是指载流子在电场作用下的定向运动。当半导体中存在电场时，载流子（电子和空穴）会在电场力的作用下沿着电场方向运动，形成漂移电流。载流子与晶格碰撞的随机运动称为扩散运动，载流子浓度的梯度导致扩散运动，载流子的热运动则导致载流子的无规则运动。因此，正确答案是载流子在电场作用下的定向运动。

7.晶体管放大电路中，为了提高输入电阻，通常采用（）

A.共发射极接法

B.共基极接法

C.共集电极接法

D.任何接法都可以

答案：C

解析：晶体管放大电路的输入电阻是指从放大电路输入端看进去的等效电阻，它的大小与晶体管的接法有关。共发射极接法的输入电阻较小，共基极接法的输入电阻也很小，而共集电极接法的输入电阻较大，通常可达几十千欧姆。因此，为了提高输入电阻，通常采用共集电极接法。因此，正确答案是共集电极接法。

8.晶体三极管工作在放大区时，其发射结和集电结（）

A.均为正向偏置

B.均为反向偏置

C.发射结正向偏置，集电结反向偏置

D.发射结反向偏置，集电结正向偏置

答案：C

解析：晶体三极管工作在放大区时，为了使晶体管能够有效地放大信号，发射结必须正向偏置，以提供足够的电子注入基区，而集电结必须反向偏置，以将基区注入的电子收集到集电极。这种偏置方式可以确保晶体管的放大性能。因此，正确答案是发射结正向偏置，集电结反向偏置。

9.半导体二极管正向导通时，其正向压降（）

A.约为0.1V

B.约为0.7V

C.约为1.0V

D.约为1.5V

答案：B

解析：半导体二极管正向导通时，其正向压降通常约为0.7V。这是因为当二极管正向偏置时，PN结的势垒降低，载流子能够顺利地通过PN结，形成较大的电流。对于硅二极管，正向压降通常在0.6V到0.8V之间，而对于锗二极管，正