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氧化锡_硅基异质结光电探测器及其性能研究.pdf

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    摘要

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    异质结型光电探测器因为光电响应能力强、暗电流低等因素广泛应用于光

    电成像、光通讯等领域。近年来，异质结型光电探测器的研究受到诸多的关注。

    氧化锡作为常见的氧化物半导体，具有载流子迁移率高的特点，有利于电子运

    输。本文以离子束溅射、溶液-凝胶两种方法制备氧化锡/硅基异质结光电探测器，

    并探究了退火等工艺对性能的影响。具体内容如下：

    (1)研究发现ITO-Si-ITO光电探测器在可见光区表现出优异的外量子

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