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2025年对口招生考试（电子技术基础）历年参考题库含答案详解

一、选择题

从给出的选项中选择正确答案（共50题）

1、在二极管特性中，反向击穿电压与正向导通电压的典型值相比（）

A.前者更小

B.前者更大

C.差值约为0.5V

D.前者与后者相等

A.前者更小

B.前者更大

C.差值约为0.5V

D.前者后者相等

【参考答案】B

【解析】极管反向击穿电压（通常为30-1000V）远大于正向导通电压（0.2-0.7V），因此B正确。C选项的差值范围不准确，D明显错误。

2、三极管处于放大状态时，其发射结和集电结的偏置情况是（）

A.发射结正偏，集电结反偏

B.发射结反偏，集电结正偏

C.两个结均正偏

D.两个结均反偏

A.发射结正偏，集电结反偏

B.发射结反偏，集电结正偏

C.两个结均正偏

D.两个结均反偏

【参考答案】A

【解析】三极管放大状态需满足发射结正偏（VBE≈0.7V）和集电结反偏（VBC0），故A正确。B选项为截止状态，C和D不符合三极管工作原理。

3、欧姆定律公式中，电阻R的计算公式为（）

A.R=U/I

B.R=U×I

C.R=I/U

D.R=U/I2

A.R=U

B.R=U×I

C.R=I/U

D.R=U/I2

【参考答案】A

【解析】欧姆定律R=U/I，A正确。B为功率公式，C为电导倒数，D为电阻平方形式均错误。

4、单管共射放大电路的电压放大倍数主要取决于（）

A.电阻Rc

B.电容C1

C.晶体管β值

D.基极偏置电阻Rb

A.电阻Rc

B电容C1

C.晶体管β值

D.基极偏置电阻Rb

【参考答案】C

【解析】电压放大倍数Av≈-β*Rc/(rbe+Re)，β值最大，故C正确。A选项Rc影响幅值但非主导因素，B和D为静态工作点设置参数。

5、LC低通滤波器的截止频率fc由（）决定

A.L和C的串联值

B.L和C的并联值

C.L的感抗与C的容抗之比

D.L和C的串联谐振频率

A.L和的串联值

B.L和C的并联值

C.L的感抗与C的容抗之比

D.L和C的串联谐频率

【参考答案】D

【解析】截止频率fc=1/(2π√(LC，即串联谐振频率，故D正确。A和B未考虑频率关系，C表述不严谨。

6、组合逻辑电路中，全加器的功能是（）

A.实现与或非逻辑

B.实现两个一位二进制数相加

C.实现四位二进制数比较

D.实现寄存器功能

A.实现与或非逻辑

B.实现两个一位二进制数相加

C.实现四位二进制数比较

D.实现寄存器功能

【参考答案】B

【解析】全加器由两个半加器组成，可处理两个二进制数的加法运算（含进位），故B正确。A为门电路功能，C为比较器，D为时序电路。

7、用数字万用表测量电阻时，正确的操作步骤是（）

A.直接测量待测电阻

B.选择电阻档位后直接测量

C.测量前需进行欧姆调零

D测量后需关闭电源

A.直接测量待测电阻

B.选择电阻档位后直接测量

C.测量前需进行欧姆调零

D.测后需关闭电源

【参考答案】C

【解析】测量电阻前必须进行欧姆调零，否则结果不准确，故C正确。A和B未调零会导致误差，D非必要步骤。

8、晶体管放大倍数β与（）关系最密切

A.集电极电阻Rc

B.基极电流Ib

C.发射极电阻Re

D.集成电路工艺

A.集电极电阻Rc

B.基极电流Ib

C.发射极电阻Re

D.集成电路工艺

【参考答案】B

【解析】β=Ic/Ib，基极电流Ib是决定β的核心参数，故B正确。A和C影响放大倍数但非β本身，D为工艺因素。

9、信号发生器的主要作用是（）

A.产生高频正弦波信号

B.提供测试电路的电源

C.测量电路中的噪声

D.调节电路频率

A.信号发生器的主要作用是

B.提供测试电路的电源

C.测量中的噪声

D.调节电路频率

【参考答案】A

【解析】信号发生器核心功能是生成特定频率和幅度的信号源，故A正确。B为电源设备，C为噪声分析仪，D是信号发生器的一部分功能。

10、判断电解电容极性时，若电容表面有“+”“-”标记，其对应的引脚（）

A.极与“+”极性一致

B.正极与“-”极性一致

C.负极与“+”极性一致

D.负极与“-”极性一致

A.正极与“+”极性一致

B.正极与“-”极性一致

C.负极与“+”极性一致

D.负极与“-”极性一致

【参考答案】A

【解析】电解电容正极（长引脚）对应“+”极性标记，A正确。B和C混淆极性，D描述负极错误。

11、已知二极管正向导通电压为0