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Ⅲ族氮化物量子阱发光特性：从原理到应用的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电子领域，Ⅲ族氮化物量子阱凭借其独特的物理性质，占据着极为重要的地位。Ⅲ族氮化物主要包括氮化镓（GaN）、氮化铟（InN）和氮化铝（AlN）及其合金，它们的禁带宽度可在较宽范围内连续变化，从InN的约0.7eV，到GaN的3.4eV，再到AlN的6.2eV，这种特性使得Ⅲ族氮化物能够覆盖从近红外到紫外的宽广光谱范围，从而在光电子器件中展现出巨大的应用潜力。

在众多光电子器件中，发光二极管（LED）和激光二极管（LD）是典型代表。基于Ⅲ族氮化物量子阱结构的LED，已