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2025年国家开放大学（电大）《固体物理学》期末考试备考题库及答案解析

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一、选择题

1.晶体与非晶体的主要区别在于（）

A.密度不同

B.热膨胀系数不同

C.原子排列方式不同

D.硬度不同

答案：C

解析：晶体具有规则的、长程有序的原子排列，而非晶体则没有长程有序结构，其原子排列是无规的。这是两者最本质的区别，密度、热膨胀系数和硬度等性质都是由原子排列方式决定的，因此晶体和非晶体在这些性质上也会存在差异，但根本区别在于原子排列的有序性。

2.晶体中原子或离子排列的周期性可以通过（）

A.晶胞

B.晶格

C.晶系

D.晶面指数

答案：B

解析：晶格是描述晶体周期性排列的数学抽象，它由一系列相互平行的等间距平行平面族构成，这些平面族称为晶面。晶胞是组成晶体的最小重复单元，它包含了描述晶体结构所需的所有信息。晶系是对晶体分类的一种方式，而晶面指数是描述晶面上原子密度的符号。晶体中原子或离子排列的周期性是通过晶格来描述的，晶格决定了晶体的宏观对称性和微观结构特征。

3.晶体缺陷中，对材料力学性能影响最大的是（）

A.点缺陷

B.线缺陷

C.面缺陷

D.体缺陷

答案：B

解析：线缺陷（如位错）对材料的力学性能影响最大。位错的存在可以显著降低晶体的屈服强度，使其具有塑性变形能力。点缺陷（如空位、填隙原子）和面缺陷（如晶界、堆垛层错）对材料性能也有影响，但其影响程度通常小于位错。体缺陷（如气孔、夹杂物）主要影响材料的密度和均匀性，对力学性能的影响相对较小。

4.晶体管的放大作用是基于（）

A.半导体的能带结构

B.载流子的漂移

C.载流子的扩散

D.晶体管的PN结特性

答案：C

解析：晶体管的放大作用是基于载流子的扩散。在BJT（双极结型晶体管）中，发射极注入的多数载流子（电子或空穴）扩散到基区，其中一部分在基区与少数载流子复合，另一部分则扩散到集电区并被集电极收集。通过控制基极电流，可以改变发射极注入的载流子数量，从而控制集电极电流的大小，实现电流放大。这个过程主要依赖于载流子的扩散过程。

5.光在晶体中传播时，可能发生（）

A.双折射

B.偏振

C.色散

D.以上都是

答案：D

解析：光在晶体中传播时，由于晶体的各向异性，可能会发生双折射、偏振和色散现象。双折射是指光在晶体中分解为两束折射率不同的光线，偏振是指光的振动方向受限，色散是指不同波长的光具有不同的折射率。这些现象都是晶体光学的基本特征。

6.晶体的熔点通常比非晶体的熔点（）

A.高

B.低

C.相同

D.无法比较

答案：A

解析：晶体的熔点通常比非晶体的熔点高。这是因为晶体具有规则的、长程有序的原子排列，克服这种有序排列需要更多的能量。而非晶体没有长程有序结构，其原子排列是无规的，因此更容易被加热到熔化状态。例如，石英（晶体）的熔点约为1713℃，而玻璃（非晶体）的熔点则没有固定的数值，通常在1000℃左右。

7.晶体中，滑移系统是指（）

A.晶面族

B.晶向族

C.晶胞参数

D.滑移方向和滑移面

答案：D

解析：滑移系统是指晶体中滑移发生的方向和滑移面。滑移面是晶体中最容易发生滑移的晶面，滑移方向是沿该晶面上的原子排列最密的方向。滑移系统决定了晶体的塑性变形方式，是研究晶体力学性能的重要概念。

8.半导体中，掺杂可以提高（）

A.本征载流子浓度

B.杂质电离能

C.导电能力

D.晶体熔点

答案：C

解析：半导体中，掺杂可以提高导电能力。通过掺入少量杂质原子，可以显著增加半导体的载流子浓度，从而提高其导电能力。例如，在硅中掺入磷原子可以增加电子浓度，形成N型半导体；掺入硼原子可以增加空穴浓度，形成P型半导体。这些杂质原子可以提供额外的自由电子或空穴，成为载流子，从而提高半导体的导电能力。

9.晶体管的开关特性主要取决于（）

A.电流放大系数

B.输入电阻

C.输出电阻

D.集电极-发射极饱和压降

答案：D

解析：晶体管的开关特性主要取决于集电极-发射极饱和压降。在开关应用中，晶体管通常工作在饱和状态和截止状态。在饱和状态，集电极-发射极之间的电压降很小，相当于一个闭合的开关；在截止状态，集电极-发射极之间的电流很小，相当于一个断开的开关。集电极-发射极饱和压降的大小直接影响开关的导通电阻和开关速度，因此是开关特性的重要参数。

10.晶体的X射线衍射强度与（）

A.原子序数

B.原子类型

C.晶胞参数

D.原子坐标

答案：D

解析：晶体的X射线衍射强度与原子坐标有关。根据结构因子公式，衍射强度与原子坐标的实部和虚部有关，特别是与原子在晶胞中的位置（即原子坐标）有关。原子序数、原子类型