场效应管识别与检测.pptVIP

*第1页，共26页，星期日，2025年，2月5日场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.

特点:

具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.

*第2页，共26页，星期日，2025年，2月5日*第3页，共26页，星期日，2025年，2月5日结型场效应管JFET绝缘栅型场效应管MOS场效应管有两种:结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名；绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其他电极完全绝缘而得名。一、场效应管的种类*第4页，共26页，星期日，2025年，2月5日一、场效应管的种类按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。绝缘栅型场效应管与结型场效应管的不同之处在于它们的导电方式不同。若按导电方式来划分，绝缘栅型场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型。*第5页，共26页，星期日，2025年，2月5日N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)场效应晶体管的种类*第6页，共26页，星期日，2025年，2月5日N基底：N型半导体PP两边是P区G(栅极)S源极D漏极一、结构结型场效应管:导电沟道二、场效应管的原理*第7页，共26页，星期日，2025年，2月5日NPPG(栅极)S源极D漏极N沟道结型场效应管DGSDGS*第8页，共26页，星期日，2025年，2月5日PNNG(栅极)S源极D漏极P沟道结型场效应管DGSDGS*第9页，共26页，星期日，2025年，2月5日绝缘栅场效应管:一、结构和电路符号PNNGSDP型基底两个N区SiO2绝缘层导电沟道金属铝GSDN沟道增强型*第10页，共26页，星期日，2025年，2月5日N沟道耗尽型PNNGSD预埋了导电沟道GSD*第11页，共26页，星期日，2025年，2月5日NPPGSDGSDP沟道增强型*第12页，共26页，星期日，2025年，2月5日P沟道耗尽型NPPGSDGSD预埋了导电沟道*第13页，共26页，星期日，2025年，2月5日三、场效应管的识别与检测1．场效应管外形的识别塑料封装场效应管*第14页，共26页，星期日，2025年，2月5日金属封装场效应管*第15页，共26页，星期日，2025年，2月5日2．场效应管的符号*第16页，共26页，星期日，2025年，2月5日2．场效应管的符号在有些大功率MOSFET管中的G-S极间或D-S极间增加了保护二极管，以保护管子不致于被静电击穿，这种管子的电路图符号如图所示。*第17页，共26页，星期日，2025年，2月5日3.场效应管引脚的识别场效应管也有三个引脚，分别是栅极(又称控制极)、源极、漏极3个端子。场效应管可看作一只普通晶体三极管，栅极G对应基极b，漏极D对应集电极C，源极S对应发射极E。N沟道对应NPN型晶体管，P沟道对应PNP晶体管。*第18页，共26页，星期日，2025年，2月5日3.场效应管引脚的识别直接目测识别GDSSSDG散热片散热片*第19页，共26页，星期日，2025年，2月5日