场效应管及其放大电路 (2).pptVIP

(4-7)*第30页，共53页，星期日，2025年，2月5日4.2.3MOS场效应晶体管使用注意事项MOS场效应晶体管在使用时应注意其分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高(包括MOS集成电路)极易被静电击穿，使用时应注意以下规则。(1)MOS器件启用前通常由生产厂家将MOS器件装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便用其他塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起(或用锡纸包装)，以防被静电击穿。(2)已取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。(3)焊接用的电烙铁必须良好接地，不具备条件时可将电烙铁拔离交流电源插座再焊接。(4)在焊接前先将把电路板的电源线与地线短接，待MOS器件焊接完成后再恢复。(5)焊接MOS器件各引脚的顺序是漏极、源极、栅极。拆卸MOS器件时顺序相反。(6)电路板在装机之前先用良好接地的线夹子去碰触机器的各接线端子，再把电路板接上去。(7)生产过程中，在人体可能接触MOS器件的时，操作人员的手腕应带静电屏蔽套，并将屏蔽套可靠接地。*第31页，共53页，星期日，2025年，2月5日4.2.4双栅场效应管(DGFET)双栅MOS场效应管有两个栅极，其结构示意图如图4-12所示。由于双栅MOSFET具有上、下两个栅，增强了对沟道的控制能力。对于厚膜双栅MOSFET,硅膜在正面、背面栅压作用下的最大反型区域小于硅膜厚度,即两个反型沟道相对独立,而硅膜的中间部分没有反型,没有电流通道。在这种状况下,双栅MOSFET相当于两个普通体硅MOSFET的简单并联。导电沟道*第32页，共53页，星期日，2025年，2月5日国产N沟道MOSFET的典型产品单栅管有3DO1、3DO2、3DO4等，双栅管有4DO1等。双栅极FET双栅极FET等效双栅极FET引脚图*第33页，共53页，星期日，2025年，2月5日4.3.1FET的主要参数1．直流参数1)夹断电压2)开启电压3)饱和电流4)直流输入电阻2.交流参数1)低频跨导(互导)(4-11)(4-12)*第34页，共53页，星期日，2025年，2月5日对于增强型MOSFET，将式(4-6)代入(4-11)得到增强型MOSFET的跨导为(4-13)2)输出电阻(4-14)*第35页，共53页，星期日，2025年，2月5日3．极限参数*第36页，共53页，星期日，2025年，2月5日4.4场效应管放大电路FET放大电路的分析方法与BJT放大电路的分析方法基本相同，可以用图解法和低频小信号等效(微变等效)电路法。4.4.1直流分析与BJT放大电路相似，给FET栅极提供直流电压的电路称为偏置电路。FET的偏置电路分为固定偏置电路、自给偏置电路和分压式偏置电路三种。*第37页，共53页，星期日，2025年，2月5日1)固定偏置电路共源组态的基本放大电路如图4-14所示。图4-14a是为FET提供负偏压的固定偏置放大电路，偏置电压由外加电压提供，由于FET的输入电阻很大，流过栅极的电流几乎为零。因此，两端的电压降为零(4-15)*第38页，共53页，星期日，2025年，2月5日*模拟电子技术基础*场效应管及其放大电路*第1页，共53页，星期日，2025年，2月5日基本要求了解场效应管的分类、结型场效应管（JFET）和金属－氧化物－半导体场效应管（MOSFET）的结构、工作原理；熟悉输出特性曲线和转移特性曲线，以及场效应管的主要参数；掌握场效应管放大电路的组成、分析方法和应用。*第2页，共53页，星期日，2025年，2月5日FET特点场效应管根据结构和工作原理的不同，分为两大类：结型场效应管(JunctionFieldEffectTransistor,JFET)和金属－氧化物－半导体场效应管（MOSFET），其中包括耗尽型和增强型。本章先介绍JFET和MOSFET的结构、工作原理、特性曲线及主要参数，再讨论场效应管放大电路的3种组态：共源极、共漏极和共栅极放大电路。BJT工作在放大区时，输入回