工艺整合招聘面试题及答案.docVIP

工艺整合招聘面试题及答案

单项选择题（每题2分，共20分）

1.光刻工艺的主要目的是（）

A.沉积薄膜B.图形转移C.刻蚀材料D.掺杂杂质

2.化学机械抛光（CMP）主要用于（）

A.去除表面杂质B.平整化表面C.沉积金属D.刻蚀硅衬底

3.以下哪种气体常用于等离子体刻蚀（）

A.氧气B.氮气C.氩气D.氯气

4.扩散工艺是为了（）

A.形成PN结B.沉积绝缘层C.去除光刻胶D.生长硅外延层

5.离子注入与扩散相比，优点是（）

A.温度高B.浓度均匀C.可精确控制D.工艺简单

6.以下哪种薄膜沉积方法属于物理气相沉积（PVD）（）

A.化学气相沉积（CVD）B.原子层沉积（ALD）C.溅射D.电镀

7.光刻胶在曝光后需要进行（）

A.显影B.刻蚀C.沉积D.退火

8.湿法刻蚀的特点是（）

A.各向异性B.选择性好C.设备复杂D.污染小

9.外延生长的作用是（）

A.提高衬底纯度B.改变衬底导电类型C.生长高质量单晶层D.去除表面损伤

10.用于检测晶圆表面缺陷的设备是（）

A.电子显微镜B.光刻机C.刻蚀机D.清洗机

多项选择题（每题2分，共20分）

1.工艺整合中需要考虑的因素有（）

A.工艺顺序B.工艺兼容性C.成本D.产量

2.常见的光刻工艺步骤包括（）

A.涂胶B.曝光C.显影D.刻蚀

3.化学气相沉积（CVD）可分为（）

A.低压CVDB.常压CVDC.等离子体增强CVDD.原子层CVD

4.刻蚀工艺可分为（）

A.干法刻蚀B.湿法刻蚀C.物理刻蚀D.化学刻蚀

5.离子注入工艺的参数有（）

A.能量B.剂量C.角度D.温度

6.薄膜沉积的质量受以下哪些因素影响（）

A.气体流量B.温度C.压力D.衬底表面状态

7.清洗工艺的目的是（）

A.去除表面杂质B.去除光刻胶C.改善表面亲水性D.提高衬底平整度

8.以下属于半导体工艺设备的有（）

A.光刻机B.刻蚀机C.扩散炉D.清洗机

9.工艺整合中可能遇到的问题有（）

A.工艺兼容性问题B.设备故障C.良率问题D.成本过高

10.影响外延生长质量的因素有（）

A.衬底质量B.气体纯度C.生长温度D.生长速率

判断题（每题2分，共20分）

1.光刻工艺是半导体制造中最重要的图形化工艺。（）

2.化学机械抛光只能用于硅衬底的平整化。（）

3.离子注入会对衬底造成损伤，需要进行退火修复。（）

4.湿法刻蚀比干法刻蚀的选择性差。（）

5.外延生长可以在非晶衬底上进行。（）

6.薄膜沉积的厚度可以通过沉积时间精确控制。（）

7.清洗工艺对半导体制造的良率影响不大。（）

8.工艺整合只需要考虑工艺本身，不需要考虑设备和成本。（）

9.光刻胶的灵敏度越高，曝光时间越短。（）

10.扩散工艺的温度一般比离子注入工艺低。（）

简答题（每题5分，共20分）

1.简述光刻工艺的基本原理。

光刻利用光刻胶感光特性，通过掩膜版将图形投影到涂有光刻胶的晶圆上，经曝光、显影，使光刻胶形成与掩膜版对应的图形，为后续刻蚀或掺杂做准备。

2.说明化学机械抛光（CMP）的作用和原理。

作用是实现晶圆表面全局平整化。原理是通过化学腐蚀和机械研磨协同作用，在抛光垫和晶圆间加入抛光液，去除表面材料，达到平整效果。

3.比较干法刻蚀和湿法刻蚀的优缺点。

干法刻蚀各向异性好、精度高，但设备复杂、成本高；湿法刻蚀选择性好、设备简单，但各向同性、污染大。

4.简述离子注入工艺的主要步骤。

主要步骤有：确定注入离子种类、能量和剂量；将晶圆放入离子注入机；离子源产生离子束，经加速、聚焦注入晶圆；注入后进行退火消除损伤。

讨论题（每题5分，共20分）

1.讨论工艺整合在半导体制造中的重要性。

工艺整合确保各工艺有序衔接、兼容，提高生产效率和产品良率，降低成本，是实现高性能半导体器件量产的关键，影响产品质量和企业竞争力。

2.分析光刻工艺中可能出现的问题及解决方法。

可能出现图形失真、光刻胶残留等问题。可通过优化曝光参数、改善光刻胶性能、提高掩膜版质量，以及加强显影和清洗工艺来解决。