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IGBT功率模块散热设计技术说明

一、引言

在现代电力电子装置中，IGBT功率模块作为核心开关器件，承担着电能转换与控制的关键角色。随着电力电子技术向高频化、高功率密度化方向发展，IGBT模块的功率损耗密度持续攀升，由此产生的大量热量若不能及时有效地散发出去，将导致模块结温急剧升高，直接影响其开关特性、导通压降等电气性能，更会显著降低器件的可靠性与使用寿命，甚至引发热失控，造成整个装置的故障。因此，IGBT功率模块的散热设计是电力电子系统设计中至关重要的环节，其设计的合理性与有效性直接关系到设备的整体性能、可靠性及成本。本说明将围绕IGBT功率模块的散热设计展开深入探讨，旨在为相关工程实践提供专业、严谨且具有实用价值的技术指导。

二、IGBT模块发热机理与损耗分析

IGBT模块的发热源于其在工作过程中产生的功率损耗。准确理解和计算这些损耗是进行有效散热设计的前提。IGBT模块的总损耗主要由两部分构成：导通损耗和开关损耗。

（一）导通损耗(Pcon)

导通损耗是指IGBT在导通状态下，电流流经其导通通道时产生的功率损耗。对于IGBT芯片而言，其导通特性类似于一个受栅压控制的PNP晶体管与一个MOSFET的组合，导通时呈现一定的电阻特性（在大电流区域）或近似为一个恒定压降与电阻的串联（在小电流区域）。通常，在工程估算中，可采用平均导通压降与平均导通电流的乘积来近似计算导通损耗，或根据模块datasheet中提供的导通压降与集电极电流的关系曲线（Vce(sat)-Ic），结合实际工作电流的波形和占空比进行精确积分计算。

续流二极管（FWD）作为IGBT模块内的关键组成部分，在反向续流期间也会产生导通损耗。其导通特性通常表现为一个较大的正向压降（Vf），其导通损耗计算方式与IGBT类似，基于其正向压降与续流电流的乘积，并结合其工作占空比。

（二）开关损耗(Psw)

开关损耗发生在IGBT的开通和关断瞬态过程中，包括开通损耗（Eon）和关断损耗（Eoff）。在开关过程中，电压和电流会有交叠区域，此区域产生的能量损耗即为开关损耗。开关损耗的大小与工作电压、负载电流、栅极驱动条件（如栅极电阻、驱动电压）、结温和开关频率密切相关。

同样，续流二极管在反向恢复过程中也会产生反向恢复损耗（Err），这部分损耗同样属于开关损耗的范畴，尤其在高频应用中，其占比不容忽视。

总功率损耗Pt=Pcon(IGBT)+Pcon(FWD)+Psw(IGBT)+Psw(FWD)。这些损耗最终全部转化为热能，导致IGBT芯片结温升高。

三、热传递基本方式与散热路径

IGBT模块产生的热量需要通过合理的路径传递到环境中，以维持芯片结温在允许范围内。热传递主要有三种基本方式：热传导、热对流和热辐射。在IGBT模块的散热设计中，这三种方式往往同时存在，但以热传导和热对流为主。

（一）热传导

热传导是指热量通过物质内部微观粒子的热运动而进行的传递，是固体中热量传递的主要方式。在IGBT模块内部，热量从芯片（Junction）出发，依次通过焊料层、DBC（DirectBondedCopper，直接键合铜）基板或AMB（ActiveMetalBrazed，活性金属焊接）基板、基板与散热器之间的界面材料（如导热硅脂、导热垫片）传递到散热器基座，这一过程主要依靠热传导。

（二）热对流

热对流是指流体（液体或气体）与固体表面接触时，由于流体宏观运动而引起的热量传递。当热量传递到散热器表面后，主要通过散热器与周围空气（自然对流或强制风冷）或冷却液（液冷）之间的对流换热将热量散发到环境中。

（三）热辐射

热辐射是指物体由于具有温度而辐射电磁波的现象，不依赖任何介质。虽然在IGBT模块的散热中，辐射换热的贡献相对较小，但在某些情况下（如高温表面、大面积散热器），也应予以考虑，尤其是在自然冷却系统中。

（四）典型散热路径

一个典型的IGBT模块散热路径可描述为：芯片结区（J）→芯片焊层→基板（陶瓷+铜）→基板焊层/底部金属→界面导热材料→散热器→环境（A）。这条路径上的每个环节都会产生热阻，总热阻Rth(j-a)是各环节热阻的串联总和，直接决定了在一定功耗下结温的高低。

四、关键热阻参数与结温计算

热阻是衡量材料或结构阻止热量传递能力的物理量，是散热设计中的核心参数。

（一）核心热阻定义

1.结到壳热阻(Rth(j-c))：指从IGBT芯片结区到模块外壳（通常指模块底部与散热器接触的安装面）之间的热阻。这是模块制造商提供的关键参数，反映了模块内部的散热能力。

2.壳到散热器热阻(Rth(c-s))：指从模块外壳安装面到散热器表面之间的热阻，主要由界面导热材料的性能、厚度以及安装压力等因素决定。

3.散热器到环境热阻(Rth