基于形状模版匹配的光刻对准方法研究.pdfVIP

基于形状模版匹配的光刻对准方法研究.pdf

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多

哈尔滨工业大学专业学位硕士论文

摘要

抗辐射器件在核能、航空、航天等苛刻应用领域中扮演着维护电子系统长期

稳定性的关键角色,其设计与制造强调极端条件下稳定性和可靠性。目前,针对

抗辐射器件的生产,主要采用接触式与接近式光刻机,其对准方法聚焦于基于几

何图案的光刻对准技术。这一方法依赖于高清晰度的对准标记图像,且即使在存

在复杂干扰的环境下,亦需确保实现对准需求,以及寻求对准精度的进一步提升。

课题“基于形状模版匹配的光刻对准方法研究”旨在深入研究并解决上述问

题,构建针对几何图案的光刻对准方法的高效算法体系,具体研究内容概括如下:

首先,开展基于改进Tenengrad灰度梯度函数清晰度评价算法研究,用于调节

对准标记位于理想对焦位置,提供逼近理想清晰状态的对准标记图像。分析现有

无参考图像清晰度评价方法,针对抗噪性与灵敏度进行改进,仿真实验表明,所

建立清晰度评价算法,在保证评估实时性与灵敏度的前提下,显著提升了抗噪性。

其次,开展基于边缘梯度向量的形状模版匹配算法研究,以实现在对准标记

图像质量劣化情况下匹配对准标记。系统探讨了模板匹配算法的原理与实现,建

立基于边缘梯度向量的余弦相似性度量,并在此基础上针对匹配速度与鲁棒性进

行优化。仿真结果彰显了在面临干扰条件下,仍能确保对准标记的准确识别与定

位,对准标记中心点坐标匹配结果标准差约为1.0个像素,旋转角度标准差约为

0.12°,在确保鲁棒性的基础上,仍需继续提升匹配的精度。

接着,开展基于迭代最近点亚像素二维位姿匹配算法研究,为最终提升对准

精度,结合亚像素边缘提取与迭代最近点方法,对模板匹配结果实施精细化修正。

仿真结果表明对准标记中心点坐标匹配结果标准差提升至0.10个像素,旋转角度

标准差提升至0.019°,相较于原始模板匹配结果实现有效的精度提升。

最后,通过构建对准标记图像显微采集系统,结合所需位移台,利用图像清

晰度评价算法调节对准标记样品至理想清晰图像位置,并使用本课题所建立的光

刻对准方法对对准精度进行验证。实验结果表明所建立的光刻对准方法,测量不

确定度约为0.4μm(3σ),达到课题预设要求,即对准精度≤0.5μm(3σ),同时探究图

像清晰度对最终对准精度的影响,结果图像清晰度下降会对最终的光刻对准精度

造成不利影响,并对整体对准速度进行实验验证,结果表明实现单次对准标记位

姿获取仅需0.665s,满足对准精度与对准时间的要求。

关键词:光刻对准;几何图案;清晰度评价;模板匹配

--I

哈尔滨工业大学专业学位硕士论文

Abstract

Radiation-resistantdevicesplayacrucialroleinmaintainingthelong-term

stabilityofelectronicsystemsindemandingfieldssuchasnuclearenergy,aviation,and

aerospace.Theirdesignandmanufacturingemphasizestabilityandreliabilityunder

extremeconditions.Currently,theproductionofradiation-resistantdevicesprimarily

utilizescontactandproximitylithographymachines,withalignmentmethodsfocusing

ongeometricpattern-basedlithographyalignmenttechniques.Thismethodrelieson

high-definitionalignmentmarkimagesandensuresalignmentrequirementsaremet

eveninenvironmentswithcomplexinterferences,aimingforfurtherimprovemen

文档评论(0)

营销资料库 + 关注
实名认证
文档贡献者

本账号发布文档部分来源于互联网,仅用于技术分享交流用,版权为原作者所有。 2,文档内容部分来自网络意见,与本账号立场无关。

1亿VIP精品文档

相关文档