MOS场效应管的特性.pptxVIP

5.1MOS场效应管

5.1.1MOS管伏安特性的推导

两个PN结：图5.1

1)N型漏极与P型衬底；

2)N型源极与P型衬底。

同双极型晶体管中的PN结

一样，在结周围由于载流

子的扩散、漂移达到动态平

衡，而产生了耗尽层。

一个电容器结构：

栅极与栅极下面的区域形成一个电容器，是MOS管的核

心。

poly-Si

D

diffusion

tox

G

W

L

e

S

十U

栅长：L

※栅宽：W

※氧化层厚度：tox

MOSFET的三个基本几何参数

2

Lmin、Wmin和tox由工艺确定

Lmin:MOS工艺的特征尺寸(featuresize)

决定MOSFET的速度和功耗等众多

特性

L和W由设计者选定

·通常选取L=Lmin,由此，设计者只需选取

W

3

W影响MOSFET的速度，决定电路驱动能

MOSFET的三个基本几何参数

MOSFET的伏安特性：电容结构

当栅极不加电压或加负电压时，栅极下面的区域保持P

型导电类型，漏和源之间等效于一对背靠背的二极管，

当漏源电极之间加上电压时，除了PN结的漏电流之外，

不会有更多电流形成。

当栅极上的正电压不断升高时，P型区内的空穴被不断

地排斥到衬底方向。当栅极上的电压超过阈值电压VT,在栅极下的P型区域内就形成电子分布，建立起反型层，即N型层，把同为N型的源、漏扩散区连成一体，形成

从漏极到源极的导电沟道。这时，栅极电压所感应的

电荷Q为，

Q=CVge

式中Vge是栅极有效控制电压。

V为载流子速度，Eds=Vas/L为漏到源方向电场强度，

Vds为漏到源电压。μ为载流子迁移率：

■μn=650cm²/(Vs)—电子迁移率(nMOS)

μp=240cm²/(Vs)—空穴迁移率(pMOS)

非饱和时，在漏源电压Vas作用下，这些电荷Q将

在t时间内通过沟道，因此有

MOS的伏安特性

电荷在沟道中的渡越时间

5

MOSFET的伏安特性—方程推导

非饱和情况下，通过MOS管漏源间的电流/as为：

氧化层介电常数，

ε=4.5,

So=010-11CV-1m-1

V是栅级对衬底的有效控制电压

ge

其值为栅级到衬底表面的电压减VT

I

with

6

Vgs-VT=Vds,意味着近漏端的栅极有效控制电压

Vge=Vgs-VTVds=Vgs-Vds-VT=Vgd-VT=0

感应电荷为0,沟道夹断，电流不会再增大，因而，这个Idsmax就是饱和电流。

当Vgs-VT=Vds时，满足：

Ids达到最大值Idsmax,

其值为

MOS的伏安特性——漏极饱和电流

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※在饱和区

(Ias与Vas无关).MOSFET是平方律器件!

MOSFET特性曲线

※在非饱和区

线性工作区

Vds

Ids

0

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5.1.2MOSFET电容的组成

MOS电容是一个相当复杂的电容，有多层介质：

■首先，在栅极电极下面有一层SiO₂介质。SiO₂下面是P型衬底，衬底是比较厚的。最后，是一个衬底电极，它同衬底之间必须是欧姆接触。

■MOS电容还与外加电压有关。

1)当Vgs0时，栅极上的负电荷吸引了P型衬底中的多数载流子—空穴，使它们聚集在Si表面上。这些正电荷在数量上与栅极上的负电荷相等，于是在Si表面和

栅极之间，形成了平板电容器，其容量为，

通常，ε。x=3.9×8.854×10-⁴F/cm²;A是面积，单位

是cm²;tx是厚度，单位是cm。9

MOS电容—SiO₂和耗尽层介质电容

2)当Vas0时，栅极上的正电荷排斥了Si中的空穴，

在栅极下面的Si表面上，形成了一个耗尽区。

耗尽区中没有可以自由活动的载流子，只有空穴被赶走后剩下的固定的负电荷。这些束缚电荷是分布在厚

度为X。的整个耗尽区内，而栅极上的正电荷则集中在栅极表面。这说明了MOS电容器可以看成两个电容器的串联。

●以SiO₂为介质的电容器——Cox

●以耗尽层为介质的电容器——Csi总电容C为：

比原来的C。x要小些。

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MOS电容—束缚电荷层厚度

耗尽层电容的计算方法同PN结的耗尽层电容的计算方

法相同：

利用泊松公式

式中NA是P型衬底中的

掺杂浓度，将上式积分得耗