第5章晶体管功率特性.pptxVIP

晶体管功率特性电子器件基础

第5章晶体管功率特性

第1节基区电导调制效应

第2节有效基区扩展效应

第3节发射极电流集边效应

第4节晶体管最大耗散功率

第5节晶体管二次击穿和安全工作区;

本章要求：

掌握双极型晶体管大注入效应、基区扩展效应和电流集边效应的本质和作用，最大耗散功率及其影响因素；

理解二次击穿机理和安全工作区。;

○功率晶体管：工作在高电压和大电流条件下，功率1W以上的晶体管；

●晶体管功率特性：大功率条件下晶体管性能的变化，小注入近似的假设不再成立，特别是电流增益和特征频率随电流增加而下降，用极限参数描述：

○极限参数：最高电压，最大电流，最大耗散功率，二次击穿；

极限参数限制晶体管的安全工作区。;

第1节基区电导调制效应

1基区载流子分布

晶体管放大工作：

VBE0VBC0

发射区电子向基区注入，基区少子(电子)浓度增加；

电中性要求多子(空穴)浓度等量增加，由基极正电源提供。;

小注入：n?Ppb

n?npb

Pb=Ppb+n~Ppb

大注入：n?~Ppb

nbnpb

Pb=Ppb+nPpb

基区多子浓度大大增

加，电阻率下降

基区电导调制。;

小注入时：

nbPpb

大注入时：

nb～Ppb;

注入基区载流子的运动

发射区注入到基

区的少子(电子)在浓度梯度作用下继续向集电结扩散，到达集电结的电子在集电结反向电场Ec作用下通过集电区，形成集电极电流。;

基区的多子(空穴)

在浓度梯度作用下向集电结扩散，但集电结反向电场E阻挡空穴通过集电结，使得在集电结附近的基区中空穴(正电荷)积累，形成由集电结指向发射结的基区大注入自建电场E。;

大注入自建电场的作用

对多子(空穴):

电场E的漂移作用与浓度梯度的扩散作用相反，即E阻碍空穴的进一步扩散，达到动态平衡时，基区空穴为稳定分布。

对少子(电子):

电场E的漂移作用与浓度

梯度的扩散作用相同，即E加速电子的扩散。;

晶体管功率特性电子器件基础

大注入自建电场的表示

基区空穴电流密度：

动态平衡时净空穴电流：

自建电场：

Pb=Pp+n?=NB+n;

电子器件基础

即缓变基区自建电场

对均匀基区，NB为常数，E=E=0;

忽略基区复合：Jnb=JnB=JnE=Jnc

边界条件：;

晶体管功率特性电子器件基础

两边积分可求得：

取即基区少子线性分布时发射结边界处基区少子浓度。

移项整理后得：

n;

晶体管功率特性电子器件基础

对缓变基区晶体管：

基区少数载流子浓度的微分方程：;

n?N(O)

大注入时，缓变基区与均匀基区具有相同结果。;

晶体管功率特性电子器件基础;

晶体管功率特性电子器件基础

表面复合电流：IsR=AqSn?

小注入发射区注入基区的电子电流：;

晶体管功率特性电子器件基础;

小注入n?Nv1

特大注入n?N(0)v1;

VVm时，复合项起主要作用，βo随注入增大而上升；

VVm时，反注入项起主要作用，βo随注入增大而下降。;

3大注入对基区渡越时间的影响

载流子基区渡越时间：

均匀基区晶体管小注入时： ;

●大注入自建电场的作用，加速注入载流子的运动，相当于扩散系数增加一倍；

●大注入时均匀基区和缓变基区的载流子分布由大注入决定，与原基区杂质分布无关，基区电场由大注入电场决定，载流子基区渡越时间相同。;

4大注入临界电流密度

取临界大注入：n?(x)=NB

基区载流子线性分布近似，取平均值：;

第2节有效基区扩展效应(Kirk效应)

晶体管基区宽度随注入增加而展宽，导致

晶体管电流放大系数和特征频率下降。

1注入电流对集电结电场的影响

晶体管正常工作，发射结正偏，集电结反偏；

集电结势垒区一维泊松方程：;

晶体管功率特性电子器件基础

当场强大于10?V/cm时，载流子以极限饱和

漂移速度Us运动；

流过集电结的电流密度为电子漂移电流密度：

Jc=Jnc=qUsn