半导体三极管课件 .pptVIP

第1页，共14页，星期日，2025年，2月5日收音机录音机第2页，共14页，星期日，2025年，2月5日半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。两种类型的三极管发射结(Je)集电结(Jc)基极，用B或b表示（Base）发射极，用E或e表示（Emitter）；集电极，用C或c表示（Collector）。发射区集电区基区三极管符号第一节半导体三极管一、三极管的结构与符号第3页，共14页，星期日，2025年，2月5日小型三极管塑料封装小型三极管金属封装中功率三极管大功率三极管第4页，共14页，星期日，2025年，2月5日结构特点：?发射区的掺杂浓度最高；?集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；?基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。管芯结构剖面图第5页，共14页，星期日，2025年，2月5日二、三极管的电流放大作用1、电流放大的原因三极管的放大作用在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来 内部条件：内部结构上的特点 外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置2.内部载流子的传输过程发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子（以NPN为例）载流子为自由电子第6页，共14页，星期日，2025年，2月5日3、实际偏置电路IcIEIBRBEBECRCNNP一般参数ECEBRBRC第7页，共14页，星期日，2025年，2月5日三极管的电流分配关系：IE=IB+IC而且IC》IB，△IC》△IBIC=?IB；IE=(1+?)IB；iC=?iB；iE=(1+?)iB；三极管的交流放大系数：?=△IC/△IB三极管的直流放大系数：?=IC/IB三、三极管的特性曲线极间电压和各极电流之间的关系；包括输入特性和输出特性两组；BCIBRBEBECRCIcIEE输入回路：EB、RB、B、E；输出回路：EC、RC、C、E；共射极电路UCEUBEV第8页，共14页，星期日，2025年，2月5日1、输入特性IB=f（UBE）|UCE=常数2、输出特性IC=f（UCE）|IB=常数从输出特性曲线上，将三极管划分为三个工作区：截止区、放大区、饱和区；输入特性曲线（UCE=1V）UBE(v)IB(uA）硅管0.20.40.60.8第9页，共14页，星期日，2025年，2月5日截止区（1）截止区UBE小于死区电压（或发射结反偏）IB=0；IC=ICEO（穿透电流）；（2）放大区发射结正偏，集电结反偏：IC与UCE几乎无关；IC大小IB控制；△IC》△IB定义?=△IC/△IB=IC/IB）UBE：硅0.7v;锗0.3v（3）饱和区UBEUCE（集电结正偏）：集电极饱和电流ICS?IB；IC大小不再受IB控制；ICS=（EC-UCES）/RC；ICS=?IBSUBCIBRBEBECRCIcIEEUCEUBEV第10页，共14页，星期日，2025年，2月5日