场效应管放大电路沟道.pptVIP

4.1.2绝缘栅场效应管:五、说明：（1）MOS管由四种基本类型；（2）MOS管的特性与结型场效应管的特性类似；（3）增强型的MOS管的UGS必须超过一定的值以使沟道形成；耗尽型的MOS管使形成沟道的UGS可正可负；（4）MOS管的输入阻抗特高（5）衡量场效应管的放大能力用跨导

单位：ms第30页，共51页，星期日，2025年，2月5日六、MOS管的有关问题4.1.2绝缘栅场效应管:（2）交流参数 低频跨导： 极间电容：栅源电容CGS，栅漏电容CGD，漏源电容CDS（3）极限参数最大漏极电流IDM，最大耗散功率P0M，漏源击穿电压U(BR)DS

栅源击穿电压UBR)GS1、主要参数

（1）直流参数开启电压UGS(th)——指增强型的MOS管夹断电压UGS(off)——指耗尽型的MOS管饱和漏电流IDSS直流输入电阻：通常很大107Ω左右第31页，共51页，星期日，2025年，2月5日六、MOS管的有关问题4.1.2绝缘栅场效应管:2、场效应管与三极管的比较第32页，共51页，星期日，2025年，2月5日六、MOS管的有关问题4.1.2绝缘栅场效应管:3、使用注意事项（1）结型场效应管的栅源电压不能接反，但可在开路状态下保存；（2）MOS管在不使用时，须将各个电极短接；（3）焊接时，电烙铁必须有外接地线，最好是断电后再焊接；（4）结型场效应管可用万用表定性检测管子的质量，而MOS管必须用专门的仪器来检测；（5）若用四引线的场效应管，其衬底引线应正确连接；第33页，共51页，星期日，2025年，2月5日§4.2场效应管放大电路(1)静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区，场效应管的偏置电路相对简单。(2)动态：能为交流信号提供通路。组成原则：静态分析：估算法、图解法。动态分析：微变等效电路法。分析方法：场效应管是电压控制器件。它利用栅源电压来控制漏极电流的变化。它的放大作用以跨导来体现，在场效应管的漏极特性的水平部分，漏极电流iD的值主要取决于vGS，而几乎与vDS无关。第34页，共51页，星期日，2025年，2月5日1、固定偏置电路4.2.1场效应管的直流偏置电路+EDRdRgEgTuouiT：控制器件（N沟道耗尽型MOS管）ED、Eg：直流电源C1、C2：隔直流通交流Rd：将变化的电流转化为变化的电压为保证T工作是恒流区，必须满足：UGS始终为负；UDS始终为正，且UDG－UP第35页，共51页，星期日，2025年，2月5日2、自偏压电路3、分压式自偏压电路vGSvGSvGSvGSvGS4.2.1场效应管的直流偏置电路Rg：使g与地的直流电位几乎相同（因上无电流）。R：当IS流过R时产生直流压降ISR，使S对地有一定的电压：UGS=－ISR=－IDR0第36页，共51页，星期日，2025年，2月5日场效应管放大电路沟道第1页，共51页，星期日，2025年，2月5日场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。结型场效应管JFET绝缘栅型场效应管MOS场效应管有两种:§4.1场效应晶体管N沟道P沟道耗尽型增强型耗尽型增强型N沟道P沟道第2页，共51页，星期日，2025年，2月5日一、结构及符号4.1.1结型场效应管:源极（S）栅极（G）P区漏极DNNDGSN沟道GSDP沟道扩散情况：NPNN第3页，共51页，星期日，2025年，2月5日二、工作原理（以P沟道为例，N沟道见书）UDS=0V时PGSDUDSUGSNNNNIDPN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。4.1.1结型场效应管:第4页，共51页，星期日，2025年，2月5日PGSDUDSUGSNNIDUDS=0V时NNUGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。何种载流子导电？二、工作原理（以P沟道为例）4.1.1结型场效应管:第5页，共51页，星期日，2025年，2月5日PGSDUDSUGSNNUDS=0时UGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS?0V，漏极电流ID=0A。ID二、工作原理（以P沟道为例）4.1.1结型场效应管:第6页，共51页，星期日，2025年