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论表面处理对硅衬底GaN基LED粗化机制及出光效率提升的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，发光二极管（LED）作为一种新型的半导体发光器件，在照明、显示、通信等领域得到了广泛的应用。LED具有节能、环保、寿命长、响应速度快等诸多优点，被认为是未来照明和显示技术的发展方向。

在众多的LED材料体系中，硅衬底GaN基LED由于其具有成本低、散热性能好、易于与硅基集成电路集成等优势，成为了近年来研究的热点。硅衬底的使用不仅降低了LED的生产成本，还使得LED的制备工艺与成熟的硅基半导体工艺相兼容，为大规模生产和应用提供了可能。然而，硅衬底GaN