半导体异质结构.pptVIP

高势垒尖峰n区扩散向结处的电子，只有能量高于势垒尖峰的才能通过发射机制进入p区异质结电流主要由电子发射机制决定第30页，共63页，星期日，2025年，2月5日低势垒尖峰情形异质pn结（扩散机制）加正向偏压V,通过结的总电流密度Dn1和Ln1：p区少子电子的扩散系数和扩散长度Dp2和Lp2：n区少子空穴的扩散系数和扩散长度n10：p区少子浓度p20：n区少子浓度第31页，共63页，星期日，2025年，2月5日由n区注入p区的电子扩散电流密度由p区注入n区的空穴扩散电流密度n20：n区多子浓度p10：p区多子浓度第32页，共63页，星期日，2025年，2月5日若n20和p10在同一数量级，则对窄禁带p型和宽禁带n型的异质结?EC,?EV0,且kT?JnJp第33页，共63页，星期日，2025年，2月5日高势垒尖峰情形异质pn结（发射机制）由n区注入p区的电子电流密度由p区注入n区的电子电流密度正向偏压时第34页，共63页，星期日，2025年，2月5日若m1*=m2*,则总电子电流密度正向偏压时9.2.2异质pn结的注入特性（自学）第35页，共63页，星期日，2025年，2月5日9.3半导体异质结量子阱结构及其电子能态与特性9.3.1半导体调制掺杂异质结构界面量子阱1.界面量子阱中二维电子气的形成及电子能态调制掺杂异质结构：由宽禁带重掺杂的n型AlxGa1-xAs和不掺杂的GaAs组成的异质结。第36页，共63页，星期日，2025年，2月5日EFGaAsn+-AlxGa1-xAs调制掺杂异质结界面处能带图二维电子气在GaAs近结处形成电子的势阱E第37页，共63页，星期日，2025年，2月5日0zV(z)调制掺杂异质结势阱区内电子势能函数第38页，共63页，星期日，2025年，2月5日GaAs的导带底位于布里渊区中心k=0,导带底附近电子的m*各向同性用分离变量法求解第39页，共63页，星期日，2025年，2月5日第40页，共63页，星期日，2025年，2月5日X-y平面内的平面波，对应的能量电子在z方向被局限在几到几十个原子层范围的量子阱中，能量Ez量子化第41页，共63页，星期日，2025年，2月5日调制掺杂异质结势阱中的电子在与结平行的平面(x-y)内作自由电子运动，实际就是在量子阱区内准二维运动，称为二维电子气。Exy连续，Ez量子化。二维电子气(2DEG)2.二维电子气的子带及态密度异质结势阱中电子的能量第42页，共63页，星期日，2025年，2月5日子带异质结势阱中电子的能量Ei分量相同时，（kx,ky)取值不同的电子能态组成的一个带。求子带中的态密度设二维电子气在x和y方向的宽度为L,则nx,ny取整数第43页，共63页，星期日，2025年，2月5日k与（k+dk)间的电子态数Ei取定后第44页，共63页，星期日，2025年，2月5日二维电子气中单位面积单位能量间隔的子带态密度异质结二维电子气的电子态密度第45页，共63页，星期日，2025年，2月5日第1页，共63页，星期日，2025年，2月5日9.1半导体异质结及其能带图根据半导体单晶材料的导电类型异质结{反型异质结：导电类型相反同型异质结：导电类型相同反型：p-nGe-GaAs或(p)Ge-(n)GaAs,n-pGe-GaAs或(n)Ge-(p)GaAs,p-nGe-Si,p-nSi-GaAs,p-nSi-ZnS,p-nGaAs-GaP,n-pGe-GaAs等9.1.1半导体异质结的能带图第2页，共63页，星期日，2025年，2月5日同型：n-nGe-GaAs或(n)Ge-(n)GaAs,p-pGe-GaAs或(p)Ge-(p)GaAs,n-nGe-Si,n-nSi-GaAs,n-nGaAs-ZnSe,p-pSi-GaP,p-pPbS-Ge等禁带宽度较小的半导体材料写在前面异质结也可分为突变异质结和缓变异质结突变异质结：从一种半导体材料向另一种半导体材料的过渡只发生于几个原子距离范围内。第3页，共63页，星期日，2025年，2月5日缓变异质结：从一种半导体材料向另一种半