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非均匀生核临街过冷度的确定re临界过冷度?T*与?的大小密切相关,可由临界曲率半径r*非(或r*均)与液相中通过相起伏而产生的曲率半径为re的最大晶胚之间的关系确定。杂质表面的粗糙度对非均质形核的影响,凹面杂质形核效率最高,平面次之,凸面最差。第29页,共70页,星期日,2025年,2月5日影响因素:(1)过冷度的影响远低于均匀形核过冷度。(2)固体杂质结构的影响:晶格结构越相似,它们之间的界面能越小,θ越小。3.2.2.2非均匀生核的形核率点阵匹配原则:晶核与固体杂质结构相似、原子间距相当时促进形核。第30页,共70页,星期日,2025年,2月5日(3)固体杂质表面形貌的影响:凹曲面上、粗糙模壁形核率高(4)物理因素的影响:晶核的机械增殖。机械增殖,动力学成核。液相的宏观流动会增加形核率;强电场或强磁场能增加形核率。3.2.2.2非均匀生核的形核率第31页,共70页,星期日,2025年,2月5日3.2.2.3生核剂的简介研究表明,只有当衬底物质的某一个晶面与结晶相的某一个晶面上的原子排列方式相似,而其原子间距相近或在一定范围内成比例对,才可能实现界面共格对应。这时界面能主要来源于两侧点阵失配所引起的点阵畸变,并可用点阵失配度来衡量:as和ac分别为相应的衬底晶面与结晶相晶面在无畸变下的原子间距。当??5%时,通过点阵畸变过渡,可以实现界面两侧原子之间的一一对应。这种界面称完全共格界面。如图a。生核能力很强。当5%<?<25%时,通过点阵畸变过渡和位错网络调节,可以实现界面两侧原子之间的部分共格对应。这种界面称部分共格界面。如图b。具有一定的促进生核能力。第32页,共70页,星期日,2025年,2月5日非均匀形核是利用过冷液相中的活性质点或固体界面作基底,同时依靠液相中的相起伏和能量起伏来实现的形核。在非均匀形核时,临界半径只是决定晶核的曲率半径,接触角θ才决定晶核的形状和大小。θ角越小,晶核的体积和表面积也越小,形核越容易。第33页,共70页,星期日,2025年,2月5日3.3晶体的长大当金属液达到一定过冷度,超过临界尺寸的晶核成为稳定晶核后,由液相到晶体表面上的原子数目将超过离开晶体表面而进入液相的原子数。于是将进入晶体生长阶段。晶体的生长过程是液相原子不断向晶体表面堆砌的过程,也是固液界面不断向液相中推进的过程。界面处固液两相的体积自由能之差△Gv构成了晶体生长的驱动力,其大小取决于界面温度,同时受到合金成分的影响。因此晶体生长主要受:1)界面生长动力学过程;2)传热过程;3)传质过程,等彼此相关的过程制约。本节主要讨论晶体界面生长的界面动力学问题。内容涉及:3.3.1、晶体生长中固-液界面处的原子迁移3.3.2、固-液界面的微观结构3.3.3、界面生长机理和生长速度3.3.4、晶体生长方向和生长表面第34页,共70页,星期日,2025年,2月5日3.3.1晶体长大的动力学条件晶体长大:液体中原子迁移到晶体表面,即液-固界面向液体中推移的过程。平衡状态:(dN/dT)M=(dN/dT)FTiNs,NL-单位面积界面处固液原子数,对于平界面,Ns=NL=Nfs,fL-固、液两相中原子跳向界面的几率,一般fs=fL=1/6Am,AF-分别为一个原子到达界面不因弹性碰撞而被弹回的几率。Am?1,AF?1s,?L-原子振动频率,?s=?L=??GA-一个液相原子越过界面所需激活自由能,?GV-一个液相原子与一个固相原子的平均体积自由能差。第35页,共70页,星期日,2025年,2月5日§4.3.1晶体生长中固-液界面处原子迁移只有当时,晶体才能生长。生长速度R与其差值成正比。1)只有当,并满足或时,才有R0,这就是说,只有当界面处于过冷状态并使相变驱动力足以克服热力学能障()才能生长。晶体生长所必需的过冷度称动力学过冷度,?TK=T0-Ti2)热力学能障()取决于界面固相一侧所具有的台阶数量;动力学能障?GA则取决于固、液两相结构上的差异以及液相原子向固相原子过渡的具体形式。因此生长速度与过冷度之间的关系将与界面的微观结构以及晶体的生长机理密切相关。因此第36页,共70页,星期日,2025年,2月5日3.3.2液-固界面自由能及界面的微观结构
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