负电容效应对纳米CMOS器件模拟_射频性能影响.pdfVIP

摘要

金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的电流-电压特性主要由源极至

沟道的势垒来表征，该势垒由栅极电压控制。亚阈值摆幅(SS)决定了能够通过势

垒的载流子数量，受玻尔兹曼限制，SS在室温下不低于60mV/decade，成为CMOS

器件尺寸持续缩小的主要阻碍。近年来，铁电材料的负电容效应引起了众多关注，

且已被证实能够将传统CMOS器件的SS降低到60mV/decade以下，从而将

CMOS器件的电源电压减小，以期进一步降低功耗。在本文中，使用Sentaurus

TCAD技术分别研究了传统平面体硅技术和全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)技术的负

电容晶体管(NCFET)的模拟/射频性能，主要性能参数包括跨导(g)、输出电导(g)、

mds

栅极电容(C)、截止频率(f)和最大振荡频率(f)。

GGTmax

首先，对平面体硅MOSFET进行了工艺建模，并将铁电电容器耦合到器件

栅极构成金属-铁电-金属绝缘体半导体(MFMIS)结构的NCFET。结果表明，

NCFET在模拟/射频性能方面优于普通CMOS器件，具有更高的g和C，还

mGG

能够在较低的栅极电压下达到f的峰值。并且随着铁电层厚度(T)的增大，器件

TFE

的沟道电流持续增加，SS也降低到60mV/decade以下。

其次，对基于FDSOI技术的负电容全耗尽绝缘体上硅(NC-FDSOI)进行交流

小信号分析，并且研究了铁电参数对器件模拟/射频性能的影响。结果显示，NC-

FDSOI的模拟/射频性能参数优于传统FDSOI。而且适当的增加矫顽电场(Ec)与

剩余极化(Pr)不仅可以增大器件的g、g和C，还能降低f和f达到峰值所

mdsGGTmax

需的电压。

最后，对负电容晶体管模拟/射频性能的温度依赖性进行了仿真。负电容晶体

管在低温下的模拟/射频性能表现更好，并且通过增大Ec与Pr可以降低NCFET

模拟/射频性能受温度的影响。在温度较低时，NC-FDSOI的g与g显著增大，

mds

而在温度较高时，该器件的沟道电流与C均减小，达到f峰值所需的电压也

GGT

更大。

本文工作为设计和优化NCFET的模拟/射频性能提供了理论分析和实验参考

依据。

关键词：负电容晶体管，负电容FDSOI器件，模拟/射频性能，截止频率，矫

顽电场

ABSTRACT

ThecurrentandvoltagecharacteristicsofaMOSFETdevicearemaily

characterizedbythesourcetochannelbarrierwhichiscontrolledbythegatevoltage.

Thesub-thresholdswing(SS)determinesthenumberofcarriersthatcanpassthrough

thebarrier.LimitedbyBoltzmann,SSisnotlessthan60mV/decadeatroom

temperature,whichhasbecomet