掺杂薄膜制备及光电学性能的研究进展.pdfVIP

《热加工3-艺》2016年7月第45卷第14期

掺杂薄膜制备及光电学性能的研究进展

杨涛，周细应，答建成，张有为，周涛

(上海工程技术大学材料工程学院，上海201600)

摘要：掺杂对于薄膜光电学性能的改善具有重要意义，通过不同的掺杂，可实现不同的光电学性能需求。综述了

掺杂薄膜的制备方法和光电学性能方面的研究进展，并结合目前的研究现状，对其今后可能的发展方向进行了展望。

关键词：掺杂薄膜；制备；光电学性能

DOI：10．14158／j．cnki．1001-3814．2016．14．006

中图分类号：TG174文献标识码：A文章编号：1001—3814(2016)14-0019—04

ResearchProgressofPreparationofDopedFilmandOptical

andElectricalProperties

rANGTao，ZHoUXiying，DAJiancheng，ZHANGYouwei，ZHOUTao

(CollegeofMaterialsEngineering，ShanghaiUniversityofEngineeringScience，Shnaghai201600，China)

Abstract：Dopinghasimportantsignificanceforimprovingtheopticalnadelectricalpropertiesofhtinfilm．Bydifferent

doping，hterequirementofrdifferentopticalandelectricalpropertiescanberealized．Theresearchprogressofpreparation

mehtodsofdopedfilmandopticalandelectricalpropertieswerereviewed．Combingwihtreserachstatusatpresent，htefuture

abouthtedevelopnigdirectionofhtedopedhtnifimlwaslookedofrward．

Keywords：dopedthinfilm；prepraation；opticalandelectricalproperties

最初，研究较多的是单物质膜的制备，然而，有不断进步，相继出现了一些新的制备方法。包括溶剂

些单物质不宜制备成薄膜，或制备工艺不够成熟，有热法、辐射合成法及微乳液法等[3]。影响掺杂薄膜光

时可能制备的薄膜光电学性能不够优良，无法满足电学性能的因素很多，除了基底材料、衬底温度、氧

现代社会对性能日益增长的需求。因此韩婧等人【气含量和退火工艺等一般影响因素外，掺杂元素或

通过Ag改性纳米ZnO薄膜．就是期望进一步提高化合物、掺杂形式和掺杂量等对掺杂薄膜光电学性

纳米半导体薄膜的光催化活性，再如制备的BiFeO能的影响更加直接、明显。掺杂元素的存在，可能会

薄膜中的Fe化合价可变。随着多余电子的产生而存影响光透过率，也可能影响薄膜表面电阻，进而影响

在漏电问题．所以Pi—ChunJuan等人2[]通过化合价没薄膜的光电学性能。

有变动性的Cr掺杂，C替代Fe针，故减少了薄膜

1掺杂薄膜的制备

漏电现象。所以，目前国内外很多材料方面的研究人

员把着力点放在了薄膜掺杂技术上，期望通过不同在非掺杂膜中掺杂一种或多种其他元素或者化

的掺杂改善薄膜的光电学性能。合物，并沉积在基底上而最终形成的薄膜称为掺杂

薄膜的一般制备方法包括磁控溅射法