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探析量子阱垒层变化对GaN基双波长LED性能及发光特性的影响

一、引言

1.1研究背景

在现代光电子领域，氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）凭借其卓越的光电性能，如高亮度、长寿命、高效率以及快速响应等特性，在照明和显示领域占据了至关重要的地位。自20世纪90年代高亮度GaN基蓝光LED诞生以来，它不仅开启了半导体照明的新时代，还推动了整个光电子产业的迅猛发展。随着技术的不断进步，市场对于LED的性能要求也日益提高，双波长LED技术应运而生。

双波长LED能够同时发射两种不同波长的光，这种独特的发光特性使其在诸多领域展现出巨大的应用潜力。在照明领域，双波长LE