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高频精选：工艺整合校招题目及答案
一、单项选择题（每题2分，共20分）
1.以下哪种工艺不属于半导体前端工艺？
A.光刻
B.封装
C.刻蚀
D.薄膜沉积
2.光刻工艺中，关键尺寸（CD）控制的常用方法是？
A.调整曝光剂量
B.更换光刻胶
C.改变刻蚀气体
D.增加封装层数
3.化学机械抛光（CMP）主要用于？
A.去除表面杂质
B.平坦化晶圆表面
C.提高光刻精度
D.增强芯片散热
4.以下哪种气体常用于等离子体刻蚀？
A.氧气
B.氮气
C.氯气
D.氢气
5.衡量薄膜质量的一个重要指标是？
A.颜色
B.厚度均匀性
C.透明
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