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2025年大学《电子封装技术-先进封装技术》考试模拟试题及答案解析

单位所属部门：________姓名：________考场号：________考生号：________

一、选择题

1.先进封装技术中，3D堆叠技术的优势主要体现在（）

A.增加芯片层数

B.提高互连密度

C.降低封装成本

D.减少信号传输距离

答案：B

解析：3D堆叠技术通过垂直堆叠多个芯片层，显著提高了互连密度，使得芯片可以在更小的空间内实现更复杂的功能，这是其核心优势。虽然也能增加层数和减少传输距离，但主要目的和最大优势在于提高互连密度。

2.在先进封装中，硅通孔（TSV）技术主要用于（）

A.提高封装密度

B.增强散热性能

C.降低信号延迟

D.提高电源供应能力

答案：A

解析：硅通孔（TSV）技术通过在硅晶片内部垂直打通孔道，实现了芯片间的垂直互连，从而大大提高了封装密度，是3D堆叠等先进封装技术的基础。

3.先进封装技术中，扇出型封装（Fan-Out）的主要特点包括（）

A.芯片面积大于封装面积

B.互连点集中在芯片边缘

C.采用传统的引脚结构

D.需要多层基板

答案：B

解析：扇出型封装通过将芯片的互连点扩展到芯片边缘，并延伸到封装基板上，形成了更多的互连点，从而提高了封装密度和灵活性，互连点集中在芯片边缘是其显著特点。

4.在先进封装技术中，嵌入式非易失性存储器的主要作用是（）

A.提高运算速度

B.增加芯片面积

C.提高数据存储能力

D.降低功耗

答案：C

解析：嵌入式非易失性存储器直接集成在封装内部，主要作用是提供持久性数据存储能力，提高芯片的数据存储容量和效率。

5.先进封装技术中，晶圆级封装（WLP）的主要优势包括（）

A.提高封装成本

B.增加芯片层数

C.实现高密度互连

D.减少测试时间

答案：C

解析：晶圆级封装通过在晶圆级别进行封装，实现了高密度的互连和封装，提高了封装密度和性能，是先进封装技术的重要发展方向。

6.先进封装技术中，系统级封装（SiP）的主要特点包括（）

A.集成单一功能芯片

B.多种功能芯片集成

C.采用单一基板

D.互连点较少

答案：B

解析：系统级封装（SiP）通过将多种不同功能的芯片集成在一个封装内，实现系统级的功能集成，提高了系统的集成度和性能。

7.先进封装技术中，扇入型封装（Fan-In）的主要特点包括（）

A.互连点集中在芯片中心

B.采用传统的引脚结构

C.芯片面积大于封装面积

D.需要多层基板

答案：B

解析：扇入型封装是传统的封装形式，其互连点集中在芯片中心，采用传统的引脚结构，芯片面积通常大于封装面积。

8.先进封装技术中，高密度互连（HDI）技术的优势主要体现在（）

A.提高封装成本

B.增加信号延迟

C.实现高密度布线

D.减少散热需求

答案：C

解析：高密度互连（HDI）技术通过采用更精细的线宽和间距，实现了高密度的布线，提高了封装的集成度和性能。

9.先进封装技术中，无源器件集成的主要作用是（）

A.提高芯片运算能力

B.增加封装成本

C.提高信号完整性

D.减少封装尺寸

答案：C

解析：无源器件集成通过将无源元件直接集成在封装内部，可以减少信号传输路径，提高信号完整性，并减小封装尺寸。

10.先进封装技术中，异构集成的主要特点包括（）

A.集成相同功能的芯片

B.多种不同工艺的芯片集成

C.采用单一基板

D.互连点较少

答案：B

解析：异构集成通过将采用不同工艺制造的芯片集成在一起，实现不同功能和技术优势的互补，是先进封装技术的重要发展方向。

11.先进封装技术中，硅通孔（TSV）技术的典型尺寸范围大约在（）

A.10-20微米

B.50-100微米

C.100-200微米

D.1-10微米

答案：D

解析：硅通孔（TSV）技术用于实现芯片间的垂直互连，其孔径和深度通常在微米级别，典型的尺寸范围在1-10微米，这使得它在实现高密度互连方面具有优势。

12.先进封装技术中，嵌入式多芯片模块（MCM）的主要发展方向是（）

A.减少芯片数量

B.提高封装成本

C.增加封装层数

D.采用单一功能芯片

答案：C

解析：嵌入式多芯片模块（MCM）通过将多个芯片嵌入到同一个封装中，实现高密度的集成，其主要发展方向是增加封装层数，以进一步提高集成度和性能。

13.先进封装技术中，扇出型晶圆级封装（Fan-OutWLP）的主要优势不包括（）

A.提高互连密度

B.增加芯片成本

C.提高封装效率

D.减少封装尺寸

答案：B

解析：扇出型晶圆级封装（Fan-OutWLP）通过将互连扩展到晶圆边缘，实现了高密度的互连和封装，其主要优势包括提高互连密度、提高封装效率和减少封装