2025年模电实验试题及答案.docxVIP

2025年模电实验试题及答案

1.填空题（每空2分，共20分）

1.1在室温27℃下，硅二极管正向导通压降的典型值为______V，温度每升高1℃，该压降约减小______mV。

1.2某NPN晶体管在放大区工作时，若基极电流IB=12μA，电流放大系数β=160，则集电极电流IC=______mA，此时发射极电流IE≈______mA。

1.3理想运算放大器开环增益为∞，输入失调电压为0，若将其接成电压跟随器，其闭环增益为______，输入阻抗趋近于______。

1.4在文氏电桥振荡器中，若选频网络R=15kΩ，C=10nF，则振荡频率f0=______Hz；为满足起振条件，放大电路的环路增益应略大于______。

1.5某功率放大器采用±15V双电源供电，负载RL=8Ω，理论最大输出功率Pom≈______W，此时电源转换效率在理想乙类条件下为______%。

2.单项选择（每题3分，共15分）

2.1图1为共射放大电路，若将射极电阻RE由1kΩ增大到2kΩ，则中频电压增益|Av|将（）。

A.增大到原来的2倍B.基本不变C.减小到原来的一半D.减小到原来的1/3

2.2某5V稳压管标称动态电阻rz=5Ω，若负载电流变化50mA，则输出电压变化量约为（）。

A.0.25VB.0.10VC.0.05VD.0.01V

2.3在图2所示的差分放大器中，若输入Vid=20mV，共模输入Vic=1V，CMRR=80dB，则输出中共模分量与差模分量的幅值比约为（）。

A.1:10000B.1:1000C.1:100D.1:10

2.4某MOSFET用作开关，驱动电路输出高电平5V，串栅电阻Rg=100Ω，栅电荷Qg=30nC，则开通时间ton近似为（）。

A.3nsB.30nsC.300nsD.3μs

2.5图3为二阶无限增益多路反馈低通滤波器，若R1=R2=10kΩ，C1=C2=4.7nF，则截止频率fc最接近（）。

A.3.4kHzB.5.1kHzC.7.2kHzD.10kHz

3.判断改错（每题2分，共10分，先判断对错，若错则给出正确表述）

3.1结型场效应管JFET的转移特性曲线在饱和区呈指数关系。

3.2在推挽功放中，若两管静态电流为零，则输出交越失真可完全消除。

3.3理想LC谐振回路Q值越大，则通频带越宽。

3.4运算放大器构成微分电路时，在反馈电阻上并联小电容可提高高频稳定性。

3.5开关电源中，续流二极管反向恢复时间越短，则主开关管开通损耗越大。

4.简答题（每题6分，共18分）

4.1图4为带自举的共射极放大器，请说明自举电容C3如何提高输入阻抗，并给出近似表达式。

4.2某仪表放大器需对0~20mV差模信号进行100倍放大，同时抑制50Hz共模干扰，请给出一种实现方案并计算所需CMRR的最小值。

4.3图5为采用TL431的可调稳压电路，输出电压范围2.5~36V，请推导R1与R2的关系式，并说明如何限制输出短路电流。

5.计算题（共37分）

5.1共源放大器分析（12分）

电路如图6，NMOS参数：Vt=1.5V，Kn=0.5mA/V2，λ=0.01V?1，RG=1MΩ，RD=3kΩ，RS=500Ω，RL=10kΩ，VDD=12V。

（1）求静态ID、VDS；

（2）求中频电压增益Av、输入阻抗Ri、输出阻抗Ro；

（3）若CS开路，求低频截止fL。

5.2多级放大器频响（10分）

两级共射放大器级联，每级中频增益?50倍，上限频率fH1=fH2=120kHz，下限频率fL1=fL2=80Hz。

（1）求总中频增益Am（dB）；

（2）求总上限频率fH与总下限频率fL；

（3）若第二级发射极加电容CE=22μF，RE=220Ω，求新下限频率。

5.3功率放大器设计（15分）

设计一个OTL功放，负载RL=16Ω，要求最大输出功率Pom≥8W，电源电压VCC可选±12V、±15V或±18V。

（1）选择电源并说明理由；

（2）计算最小允许晶体管ICM、VCEO、PCM；

（3）若采用图7所示准互补输出级，驱动级峰值电流需多少？

（4）给出一种短路保护电路并计算动作电流阈值。

6.综合设计题（共30分）

6.1信号发生器（15分）

用LM324与RC网络设计一个正弦波—方波—三角波发生器，频