第四章弹性及内耗分析.pptVIP

（二）孪晶界面的内耗

第22页，共52页，星期日，2025年，2月5日第23页，共52页，星期日，2025年，2月5日第24页，共52页，星期日，2025年，2月5日三、与位错有关的内耗（一）背底内耗虚线ac以下的内耗1.现象第25页，共52页，星期日，2025年，2月5日纯金属的内耗第26页，共52页，星期日，2025年，2月5日内耗衰减量Δ=ΔI+ΔH

第27页，共52页，星期日，2025年，2月5日在低振幅下内耗ΔI与应变振幅无关—背底内耗在高振幅下内耗ΔH与应变振幅（ε）有关ΔI与应变振幅无关，而与频率有关，属于阻尼共振型内耗。ΔH与应变振幅（ε）有关，而与频率（ω）无关，属于静滞后型内耗第28页，共52页，星期日，2025年，2月5日（一）背底内耗

2.机制—K-G-L理论第29页，共52页，星期日，2025年，2月5日第30页，共52页，星期日，2025年，2月5日1.与应变振幅无关的内耗ΔI第31页，共52页，星期日，2025年，2月5日Ω-滑移面上分切应力与外加纵向应力间的取向因子B-作用在单位长度位错线上的阻尼系数Fdt-位错线的张力ω-角频率∧-位错密度L-位错线的平均长度第32页，共52页，星期日，2025年，2月5日第33页，共52页，星期日，2025年，2月5日2.与应变振幅有关的内耗ΔH

第34页，共52页，星期日，2025年，2月5日（二）间隙固溶体的形变内耗﹡

见P279四、应力引起物理性质变化的内耗﹡1.热弹性内耗2.磁弹性内耗五、伪弹性和相变内耗﹡1.形状记忆合金的伪弹性2.马氏体相变内耗一节结束共一节第35页，共52页，星期日，2025年，2月5日第四节内耗的测量一、内耗的表达式第36页，共52页，星期日，2025年，2月5日第37页，共52页，星期日，2025年，2月5日第1页，共52页，星期日，2025年，2月5日2.内耗的分类滞弹性内耗静滞后型内耗阻尼共振型内耗第2页，共52页，星期日，2025年，2月5日二、滞弹性内耗（驰豫型内耗）（一）材料的滞弹性第3页，共52页，星期日，2025年，2月5日1.应力—应变方程

σ+τεσ=MR（ε+τσε）τε—恒应变下的应力弛豫时间，称为应力弛豫时间。τσ—恒应力下的应变弛豫时间，称为应变弛豫时间。MR—弛豫弹性模量。滞弹性是弹性范围内的非弹性行为，在适当频率的振动应力下就会出现内耗第4页，共52页，星期日，2025年，2月5日MR称为弛豫弹性模量又称为等温弹性模量而未弛豫弹性模量又称为绝热弹性模量Mu=σ0/ε0M称为动力模量或动态模量第5页，共52页，星期日，2025年，2月5日二、滞弹性内耗

1.内耗的表示方法Q-1=tanφ=tanφ第6页，共52页，星期日，2025年，2月5日σ=σ0sinωt

ε=ε0sin（ωt-φ）ΔW=∫σdε=πσ0ε0sinφW=?σ0ε0Q-1=sinφ≈tanφ≈φ此公式对一切内耗均适用对于弛豫型内耗要用另外的公式第7页，共52页，星期日，2025年，2月5日2.滞弹性内耗的特点.〈1〉Q-1与ε无关,只与应变频率ω及弛豫时间τ有关2ωτ=1时,Q-1达到峰值,Q-1max=?ΔM第8页，共52页，星期日，2025年，2月5日M第9页，共52页，星期日，2025年，2月5日3.ωτ?1,Q-1→0τ?1/ω,(2π/ω)=T弛豫时间?应力变化周期T,实际上来不及产生弛豫过程(M=Mu)可以认为弛豫内耗值为零第10页，共52页，星期日，2025年，2月5日4.ωτ?1,Q-1→01/ω?τ,(T=2π/ω)τ?1/ωτ?T/2π→τ?T即弛豫很快,而应力变化周期很长,弛豫能充分进行,应变不会落后于应力,因此也没有内耗产生。第11页，共52页，星期日，2025年，2月5日5.弛豫时间τ与原子扩散有关ωτ=1时,Q-1达到峰值，通过改变ω，可在不同τ下得到一些列内耗峰，即ω1τ1=1=ω2τ2=1=ω3τ3=……=1时,有若干个内耗峰,称之为弛豫谱。若弛豫过程是通过原子扩散来进行则τ与T有关τ=τ0exp（H/RT）第12页，共52页，星期日，2025年，2月5日第13页，共52页，星期日，2025年，2月5日三、静滞后型内耗

特点:Q-1与ω无关,与ε有关第14页，共52页，星期日，2025年，2月5日四、阻尼共振