碳_硅掺杂六方氮化硼（h-BN）薄膜：制备工艺、性能调控与应用展望.docxVIP

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2025-11-18 发布于上海
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碳_硅掺杂六方氮化硼（h-BN）薄膜：制备工艺、性能调控与应用展望.docx

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碳/硅掺杂六方氮化硼（h-BN）薄膜：制备工艺、性能调控与应用展望

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代材料科学与半导体技术飞速发展的进程中，六方氮化硼（h-BN）薄膜作为一种极具潜力的新型材料，正逐渐崭露头角。h-BN薄膜具备诸多优异特性，在半导体、微电子、光学等关键领域展现出巨大的应用价值。其结构与石墨烯类似，是由硼（B）和氮（N）原子通过共价键连接形成的二维层状材料，这种独特的原子排列赋予了h-BN薄膜一系列卓越的物理化学性质。

在半导体领域，h-BN薄膜拥有宽带隙特性，通常其禁带宽度在5.9-6.0eV之间，这使其在高温、高频、高功率器件应用中具有显著优势。例如