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2025年化工工程师基于过饱和度的结晶器设计计算专题试卷及解析1

2025年化工工程师基于过饱和度的结晶器设计计算专题试

卷及解析

2025年化工工程师基于过饱和度的结晶器设计计算专题试卷及解析

第一部分：单项选择题（共20题，每题1分）

1、在结晶器设计中，过饱和度是影响晶体成核和生长的关键参数。下列关于过饱和度

的描述，正确的是？

A、过饱和度越高，晶体生长速率越慢

B、过饱和度越高，晶体成核速率越快

C、过饱和度与晶体纯度无关

D、过饱和度仅与温度有关

【答案】B

【解析】正确答案是B。过饱和度越高，溶液的驱动力越大，晶体成核速率越快。A错

误，因为过饱和度越高，晶体生长速率通常越快；C错误，过饱和度会影响晶体纯度，

高过饱和度可能导致杂质包裹；D错误，过饱和度不仅与温度有关，还与浓度、压力等

因素相关。知识点：过饱和度对结晶过程的影响。易错点：混淆过饱和度对成核和生长

的影响。

2、在工业结晶过程中，控制过饱和度的主要目的是？

A、提高晶体产量

B、减少能耗

C、优化晶体粒度和纯度

D、缩短结晶时间

【答案】C

【解析】正确答案是C。控制过饱和度的主要目的是优化晶体粒度和纯度，避免过高过

饱和度导致细晶或杂质包裹。A、B、D虽然也是结晶过程的考虑因素，但不是控制过

饱和度的直接目的。知识点：过饱和度控制的意义。易错点：将间接目的（如产量、能

耗）与直接目的混淆。

3、下列哪种结晶器最适合处理高过饱和度的溶液？

A、强制循环结晶器

B、冷却结晶器

C、蒸发结晶器

D、真空结晶器

【答案】A

【解析】正确答案是A。强制循环结晶器通过强制循环控制过饱和度，适合处理高过饱

和度溶液。B、C、D在处理高过饱和度时可能因局部过饱和度过高导致细晶问题。知

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识点：结晶器类型与过饱和度的匹配。易错点：忽略结晶器对过饱和度的控制能力。

4、在结晶器设计中，过饱和度的计算通常基于？

A、溶液的pH值

B、溶液的浓度与溶解度之差

C、溶液的粘度

D、溶液的密度

【答案】B

【解析】正确答案是B。过饱和度的计算通常基于溶液的浓度与溶解度之差。A、C、D

与过饱和度无直接关系。知识点：过饱和度的定义与计算。易错点：混淆过饱和度与其

他物性参数的关系。

5、下列哪种方法可以有效降低结晶过程中的过饱和度？

A、提高搅拌速度

B、降低温度

C、添加晶种

D、增加压力

【答案】C

【解析】正确答案是C。添加晶种可以提供晶体生长的表面，降低过饱和度。A可能加

剧局部过饱和度；B和D可能增加过饱和度。知识点：过饱和度控制方法。易错点：误

认为搅拌或温度变化直接降低过饱和度。

6、在结晶器操作中，过饱和度过高可能导致的主要问题是？

A、晶体粒度过大

B、晶体纯度降低

C、结晶时间延长

D、能耗增加

【答案】B

【解析】正确答案是B。过饱和度过高会导致杂质包裹，降低晶体纯度。A错误，高过

饱和度通常导致细晶；C和D不是直接问题。知识点：过饱和度过高的危害。易错点：

忽略过饱和度对纯度的影响。

7、下列哪种因素对过饱和度的影响最大？

A、搅拌速度

B、温度

C、压力

D、溶液pH值

【答案】B

【解析】正确答案是B。温度是影响过饱和度的最主要因素，因为它直接影响溶解度。A、

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C、D的影响相对较小。知识点：过饱和度的影响因素。易错点：高估搅拌或pH值的

影响。

8、在结晶器设计中，过饱和度的控制范围通常取决于？

A、晶体产品的粒度要求

B、溶液的初始浓度

C、结晶器的材质

D、操作压力

【答案】A

【解析】正确答案是A。过饱和度的控制范围主要取决于晶体产品的粒度要求，因为过

饱和度直接影响晶体生长和成核。B、C、D是次要因素。知识点：过饱和度控制范围

的设计依据。易错点：忽略粒度要求的核心作用。

9、下列哪种结晶器最适合低过饱和度操作？

A、DTB结晶器

B、冷却结晶器

C、蒸发结晶器

D、真空结晶器

【答案】A

【解析】正确答案是A。DTB结晶器（导流筒挡板结晶器）