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2025年大学《光电信息材料与器件-光电材料制备技术》考试参考题库及答案解析

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一、选择题

1.光电材料制备过程中，常用的真空度为（）

A.1个标准大气压

B.0.1个标准大气压

C.10^-3个标准大气压

D.10^-6个标准大气压

答案：C

解析：光电材料制备需要在低压或真空环境下进行，以减少杂质气体对材料的影响。常用的真空度在10^-3个标准大气压左右，可以有效地减少气体杂质，保证材料的纯度。

2.溅射法制备薄膜时，常用的靶材材料为（）

A.金属靶材

B.陶瓷靶材

C.半导体靶材

D.以上都是

答案：D

解析：溅射法制备薄膜时，靶材材料可以是金属、陶瓷或半导体，具体选择取决于所需薄膜的材质和性能。金属靶材常用于制备金属薄膜，陶瓷靶材用于制备陶瓷薄膜，半导体靶材用于制备半导体薄膜。

3.溅射法制备薄膜时，常用的气体为（）

A.氮气

B.氩气

C.氧气

D.氢气

答案：B

解析：溅射法制备薄膜时，常用的气体为氩气，因为氩气是一种惰性气体，具有良好的稳定性和高电离率，可以有效地促进溅射过程。

4.溅射法制备薄膜时，常用的功率范围为（）

A.1W-10W

B.10W-100W

C.100W-1000W

D.1000W-10000W

答案：C

解析：溅射法制备薄膜时，常用的功率范围为100W-1000W，具体的功率选择取决于靶材的类型、薄膜的厚度和所需的沉积速率。

5.溅射法制备薄膜时，常用的气压范围为（）

A.1Pa-10Pa

B.10Pa-100Pa

C.100Pa-1000Pa

D.1000Pa-10000Pa

答案：C

解析：溅射法制备薄膜时，常用的气压范围为100Pa-1000Pa，具体的气压选择取决于靶材的类型、薄膜的厚度和所需的沉积速率。

6.溅射法制备薄膜时，常用的衬底温度为（）

A.室温

B.100℃-200℃

C.200℃-500℃

D.500℃-800℃

答案：C

解析：溅射法制备薄膜时，常用的衬底温度为200℃-500℃，具体的温度选择取决于靶材的类型、薄膜的厚度和所需的沉积速率。

7.溅射法制备薄膜时，常用的靶材与衬底距离为（）

A.1cm-5cm

B.5cm-10cm

C.10cm-20cm

D.20cm-30cm

答案：B

解析：溅射法制备薄膜时，常用的靶材与衬底距离为5cm-10cm，具体的距离选择取决于靶材的类型、薄膜的厚度和所需的沉积速率。

8.溅射法制备薄膜时，常用的电流密度为（）

A.1A/cm^2-10A/cm^2

B.10A/cm^2-100A/cm^2

C.100A/cm^2-1000A/cm^2

D.1000A/cm^2-10000A/cm^2

答案：A

解析：溅射法制备薄膜时，常用的电流密度为1A/cm^2-10A/cm^2，具体的电流密度选择取决于靶材的类型、薄膜的厚度和所需的沉积速率。

9.溅射法制备薄膜时，常用的射频频率为（）

A.13.56MHz

B.27MHz

C.40MHz

D.60MHz

答案：A

解析：溅射法制备薄膜时，常用的射频频率为13.56MHz，这是工业上最常用的射频频率，可以有效地促进溅射过程。

10.溅射法制备薄膜时，常用的靶材材料纯度为（）

A.99%

B.99.9%

C.99.99%

D.99.999%

答案：D

解析：溅射法制备薄膜时，常用的靶材材料纯度为99.999%，这样可以保证制备的薄膜具有良好的纯度和性能。

11.光刻技术中，常用的光源为（）

A.紫外线

B.可见光

C.红外线

D.X射线

答案：A

解析：光刻技术是微电子制造中的关键工艺，用于在材料表面形成精细的图形。常用的光源是紫外线，因为紫外线具有足够的能量来改变材料的化学性质，从而实现图形的转移。不同的紫外线波段（如深紫外、极紫外）根据不同的光刻工艺需求被选用。

12.光刻胶的分类中，常用的正胶为（）

A.聚甲基丙烯酸甲酯

B.聚凝胶

C.聚丙烯酸

D.聚氨酯

答案：B

解析：光刻胶是光刻工艺中用于接收光线信息并后续进行图案转移的感光材料。正胶在曝光区域发生交联或聚合，经显影后留下图案。常用的正胶为聚凝胶，它在曝光后变溶，未曝光部分保留，从而形成所需图案。

13.光刻工艺中，常用的显影剂为（）

A.碱性溶液

B.酸性溶液

C.中性溶液

D.盐溶液

答案：A

解析：光刻胶的显影过程是根据其曝光前后溶解度的变化来进行的。常用的显影剂是碱性溶液，碱性环境能使曝光区域（对于正胶）溶解，而未曝光区域保持不溶，从而显露出图案。

14.光刻工艺中，常用的掩模版为（）

A