5G通信用硅酸镁基微波介质陶瓷及其天线设计.pdfVIP

摘要

人们的生活离不开通信技术，现今第五代(5G)无线通信技术因其高数据传输速率、低延

迟和大规模连接而成为热门研究课题。微波介质陶瓷是实现高性能5G设备的关键材料，对

于应用于5G的电子器件，需要陶瓷具有较低的介电常数、低介电损耗和近零的谐振频率温

度系数。对于以上要求，硅酸镁(MgSiO)，又称顽火辉石，因其原料丰富、成本低廉、环保

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无毒、具备低介电常数以及低介电损耗等优点，被认为是一种具有良好应用前景的材料，但

是它存在多种晶型而容易发生相变，且存在陶瓷烧结温度高、难以致密等问题。针对这些问

题，本课题主要采用X射线衍射(X-raydiffraction,XRD)、扫描电子显微镜(ScanningElectron

Microscope,SEM)等表征手段，讨论了合成条件以及Cu离子掺杂对于MgSiO3陶瓷的物相和

微波介电性能的影响，并制作了MgSiO3基5G微带贴片天线，具体内容如下：

(1)探究了预烧温度、预烧时长、非化学计量和原料粒径等制备条件对于MgSiO3陶瓷的

物相以及微波介电性能的影响。研究发现对于以MgO(150nm)和SiO(2μm)作为原料的样品，

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在不同预烧温度(1250℃~1325℃)和预烧时长(5h~20h)下的物相中均出现了SiO、MgSiO、

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MgSiO(protoenstatite)三个相。在适当范围内，增加预烧时长相比增加预烧温度能够得到

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MgSiO3含量更高的样品，经对比后确定其最佳预烧条件为1300℃/10h，在此条件下制备的

MgSiO陶瓷的ε为6.2，Q×f为45300GHz，τ为-52.2ppm/℃。在此基础上，非化学计量对

3rf

于抑制第二相的生成作用不大，且随着非化学计量点的偏移，会导致第二相的增多，而第二

相含量的增加将会导致微波介电性能的下降。因此，保证制备MgSiO3的化学计量比非常重

要。最后，使用粒径更小的MgO(40nm)和SiO(15nm)作为原料，在1250℃/3h的预烧条件下

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就可以得到含有很少量第二相的MgSiO3产物，且烧结后的样品具有更优良的微波介电性能：

ε=6.6，Q×f=65800GHz，τ=-50.1ppm/℃，证明了对于MgSiO体系，小粒径原料之间接触面

rf3

积更大，扩散距离更短，可以提高反应的完成程度，减少第二相的存在，有利于最终陶瓷优

异微波介电性能的获得。

(2)使用Cu离子取代MgSiO中的Mg离子，合成了MgCuSiO(0≤x≤0.25)陶瓷。当

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0≤x≤0.15时，XRD衍射峰随着Cu掺杂量的增加向左偏移，这是由于Cu离子取代了半径更

小的Mg离子，导致晶面间距增大。当x从0.15增加至0.20时，XRD衍射峰反而转为向右

移动，通过物相匹配以及结构精修后发现其晶体空间群由pbcn变为pbca，晶面间距变小，从

而导致衍射峰的右移。当x0.2，Cu离子继续取代Mg离子且空间群仍为pbca，衍射峰向左

偏移。实验还发现铜离子掺杂可以抑制陶瓷在常温下的相变。通过放置1年时间前后的MgSiO3

和MgCuSiO样品的XRD测试分析对比，发现MgSiO发生了相变，而Mg