MgAl2O4尖晶石陶瓷A-B晶格位点的反转及5G滤波器.pdfVIP

摘要

随着5G技术的普及，高频化、低延迟、小型化、高稳定成为通讯系统发

展的新方向，因此也对制作材料提出了更高的要求。微波介质陶瓷被广泛用于

制作天线、滤波器、谐振器等功能模块以及集成电路基板等绝缘介质，具有高

品质因数(Q×f)、低介电常数()、高温度稳定性()特点的微波介质陶瓷也将成

为未来研究的重点。本文通过传统的固相反应法合成了MgAlO基陶瓷，并研

24

究其结构特点，优化其介电性能，并制作滤波器验证了该材料在5G频段的可

用性，具体研究内容如下：

(1)探究MgXAlO(X=Ni,Cu,Mg,Co,Zn)陶瓷的反转度随取代离子

0.950.0524

的变化以及对介电性能的影响。通过不同离子半径的元素去取代MgAlO陶瓷

24

A位中的Mg2+离子，通过传统固相反应法合成了MgXAlO陶瓷，所有组

0.950.0524

分均未发现二次相。根据晶体场理论，对于八面体穴位稳定化能(OSPE)较高的

离子，离子取代时会优先占据八面体位点，导致离子占位反转的比例增大，反

转度λ的变化趋势与精修结果一致，反转度的增大以及样品晶界数量的减少会

导致其Q×f值的提高。而值会受到取代离子的离子极化率的影响，理论介电

常数、孔隙率校正介电常数和实测介电常数变化趋势一致。计算得到的B位键

价会影响陶瓷的值，B位键价越高，氧多面体的恢复能力提高，导致值的

提高。当X=Ni时，陶瓷样品的品质因数最佳：=8.39,Q×f=78,338GHz(f

=11.97GHz),=-66.8ppm/℃,λ=0.221。

(2)探究MgAl(MgGe)O(0≤x≤0.12)陶瓷的微波介电性能随取代

2-x0.50.5x4

量x的变化。为了获得介电性能优异的MgAlO基陶瓷，通过传统固相反应法

24

制备了MgAl(MgGe)O陶瓷。所有样品均未发现二次相，并且随着取代

2-x0.50.5x4

量x的增大，最佳烧结温度降低。由于Mg2+和Ge4+的OSPE较低，在发生离子

取代时会优先占据四面体位，并且随着x的增大，陶瓷的反转度λ持续增大，

同时计算得到的原子填充率也随x的增大而增大，导致样品的Q×f值呈现先增

大后减小的趋势，并且测得Q×f值会随样品的谐振频率的提高而提高。由于

Mg2+和Ge4+的离子极化率较Al3+高，会导致样品的相对介电常数随x增加而增

加。通过(Mg0.5Ge0.5)3+复合离子的取代，会导致B位键价的降低，从而导致氧

多面体的恢复能力降低，从而导致值的降低。最终在1590℃下烧结得到的微

波介质陶瓷具有优异的介电性能：=8.70,Q×f=105,384GHz(f=11.83GHz),

=-66.4ppm/℃,λ