第1章半导体器件基础第1讲.pptVIP

?因多子浓度差?形成内电场?多子的扩散?空间电荷区?阻止多子扩散，促使少子漂移。PN结合空间电荷区多子扩散电流少子漂移电流耗尽层内电场EPN结1.2PN结与半导体二极管1.2.1PN结的形成第30页，共79页，星期日，2025年，2月5日少子飘移补充耗尽层失去的多子，耗尽层窄，E↓多子扩散又失去多子，耗尽层宽，E↑内电场E多子扩散电流少子漂移电流耗尽层动态平衡：扩散电流＝漂移电流总电流＝0第31页，共79页，星期日，2025年，2月5日1.2.2PN结的单向导电性1.PN结加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区外电场的方向与内电场方向相反。外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动＞漂移运动→多子扩散形成正向电流IF正向电流外电场第32页，共79页，星期日，2025年，2月5日2.PN结加反向电压（反偏）——电源正极接N区，负极接P区外电场的方向与内电场方向相同。外电场加强内电场→耗尽层变宽→漂移运动＞扩散运动→少子漂移形成反向电流IRPN外电场在一定的温度下，由本征激发产生的少子浓度是一定的，故I基本上与外加反压的大小无关，所以称为反向饱和电流。但I与温度有关。第33页，共79页，星期日，2025年，2月5日PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通；PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。第34页，共79页，星期日，2025年，2月5日3.PN结的伏安特性曲线及表达式根据理论推导，PN结的伏安特性曲线如图正偏IF（多子扩散）IS（少子漂移）反偏反向饱和电流反向击穿电压反向击穿正向特性反向特性第35页，共79页，星期日，2025年，2月5日4、PN结的反向击穿当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。热击穿——不可逆雪崩击穿齐纳击穿电击穿——可逆U（BR）U/vI/mA击穿特性：第36页，共79页，星期日，2025年，2月5日根据理论分析：u为PN结两端的电压降i为流过PN结的电流IS为反向饱和电流UT=kT/q称为温度的电压当量其中k为玻耳兹曼常数1.38×10－23q为电子电荷量1.6×10－9T为热力学温度对于室温（相当T=300K）则有UT=26mV。当u0uUT时当u0|u||UT|时PN结方程第37页，共79页，星期日，2025年，2月5日PN结具有一定的电容效应，它由两方面因素决定。一是势垒电容CB二是扩散电容CD5.PN结的电容特性第38页，共79页，星期日，2025年，2月5日势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压发生变化时，离子薄层的宽度要相应地随之改变，即PN结中存储的电荷量要随之变化，就像电容充放电一样。1势垒电容CB第39页，共79页，星期日，2025年，2月5日2扩散电容CD扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在P区内紧靠PN结附近，形成一定的浓度梯度曲线。正向电压变，浓度就改变，相当于电容的充放电过程。电容效应在交流信号作用下才会明显表现出来第40页，共79页，星期日，2025年，2月5日小结本讲主要介绍了以下基本内容：PN结形成：扩散、复合、空间电荷区（耗尽层、势垒区、阻挡层、内建电场）、动态平衡PN结的单向导电性：正偏导通、反偏截止PN结的特性曲线：正向特性：死区电压、导通电压反向特性：反向饱和电流、温度影响大击穿特性：电击穿（雪崩击穿、齐纳击穿）、热击穿PN结的电容效应：势垒电容、扩散电容第41页，共79页，星期日，2025年，2月5日2.多数载流子和少数载流子哪个受温度影响？1.本征半导体中掺入五价元素，则半导体中多数载流子为_______，该半导体称为____型半导体；掺入三价元素，则半导体中多数载流子为_______，该半导体称为____型半导体。练习因为N型半导体的多子是自由电子