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模拟电子技术基础简明教程笔记

引言：模拟电子技术的基石

模拟电子技术，作为电子信息领域的基石，主要研究对连续变化的模拟信号（如声音、温度、光强等物理量转化而来的电信号）进行产生、放大、处理、变换和传输的技术。与数字电子技术中离散的“0”和“1”不同，模拟信号的幅值在时间和数值上都是连续的。理解模拟电子技术，对于深入掌握各类电子系统的工作原理、进行电路设计与故障排除，乃至后续更高级的数字与混合信号系统学习，都具有至关重要的意义。本笔记旨在梳理模拟电子技术的核心概念与基本电路，为读者构建一个清晰的知识框架。

一、信号与电路的基本概念

1.1电信号的描述

电信号是传递信息的载体，通常用电压或电流表示。描述一个信号的基本参数包括：

*幅值：信号的大小，如峰值、峰峰值、有效值。

*频率：信号周期性变化的速率，单位为赫兹(Hz)。

*波形：信号随时间变化的形状，常见的有正弦波、方波、三角波、锯齿波以及各种非周期性波形。

*频谱：信号所包含的频率成分。周期信号由基波和各次谐波组成。

1.2电路的基本元器件

构成模拟电路的基本元器件可分为无源和有源两大类：

*无源元件：电阻(R)、电容(C)、电感(L)。它们本身不能提供能量，主要用于信号的衰减、滤波、储能、阻抗匹配等。

*电阻：遵循欧姆定律U=IR，主要起限流、分压、耗能作用。

*电容：储存电场能，具有隔直通交、通高频阻低频的特性，i=C(dv/dt)。

*电感：储存磁场能，具有隔交通直、通低频阻高频的特性，v=L(di/dt)。

*有源器件：二极管、三极管(BJT)、场效应管(FET)、集成运算放大器(Op-Amp)等。它们能够控制能量的转换，是实现信号放大、波形产生等功能的核心。

1.3信号的放大与处理

在实际应用中，原始信号往往非常微弱，需要进行放大以驱动后续电路或负载。放大电路是模拟电子技术的核心。除放大外，信号处理还包括滤波（选择特定频率成分）、整形、调制解调、比较等。

二、半导体二极管及其基本应用

2.1半导体基础知识

半导体材料（如硅Si、锗Ge）的导电能力介于导体和绝缘体之间，其导电性对温度、光照、杂质等极为敏感。通过掺杂可形成N型半导体（多数载流子为电子）和P型半导体（多数载流子为空穴）。

2.2PN结的形成与特性

当P型半导体和N型半导体结合时，在交界面处会形成一个空间电荷区，即PN结。PN结具有单向导电性：

*正向偏置：P区接高电位，N区接低电位，PN结导通，正向压降较小（硅管约0.7V，锗管约0.3V）。

*反向偏置：P区接低电位，N区接高电位，PN结截止，反向电流很小（反向饱和电流）。当反向电压超过某一值（击穿电压）时，反向电流急剧增大，称为PN结击穿（齐纳击穿或雪崩击穿）。

2.3二极管的伏安特性与主要参数

二极管是由一个PN结加上引线和管壳构成。其伏安特性曲线直观反映了电压与电流的关系，包含正向导通区、反向截止区和反向击穿区。主要参数有：最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流、正向压降等。

2.4二极管的基本应用电路

*整流电路：将交流电转换为脉动直流电（半波整流、全波整流、桥式整流）。

*限幅电路：限制输出信号的幅值在一定范围内。

*钳位电路：将信号的直流电平固定在某一数值上。

*开关电路：利用二极管的单向导电性实现开关功能。

*稳压二极管：工作在反向击穿区，利用其击穿后电压基本不变的特性实现稳压。

三、半导体三极管（BJT）及其放大电路

3.1BJT的结构与工作原理

BJT有NPN和PNP两种类型，由发射区、基区、集电区及相应的发射结、集电结组成。正常放大工作时：发射结正向偏置，集电结反向偏置。载流子在基区的扩散与复合是其电流放大作用的物理基础，集电极电流近似等于基极电流乘以电流放大系数β（Ic≈βIb）。

3.2BJT的特性曲线与主要参数

*输入特性曲线：基极电流Ib与发射结电压Ube之间的关系（类似二极管）。

*输出特性曲线：集电极电流Ic与集射极电压Uce之间的关系，以Ib为参变量。输出特性可分为截止区、放大区和饱和区。

主要参数：电流放大系数（β、α）、极间反向电流（Icbo、Iceo）、极限参数（Icm、Uceo、Pcm）。

3.3放大电路的组成原则与分析方法

放大电路的核心是确保三极管工作在放大区。组成原则：设置合适的静态工作点（Q点），使输入信号能有效叠加在静态值上，并保证输出信号不失真。

分析方法：

*静态分析：估算静态工作点Q（IbQ、IcQ、UceQ），常用估算法和图解法。

*动态分析：分析输入信号作用下的电压、电流放大情况，常用微变等效电路法（将三极管在Q点附近线性化）。

3.4基本放