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探秘纳米硅量子点与掺氧非晶氮化硅膜：结构与光学性质的深度解析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，光电子领域对于高性能材料的需求日益迫切。纳米硅量子点（nc-SiQDs）与掺氧非晶氮化硅膜（a-SiN:O:H）因其独特的物理性质，在光电子器件中展现出巨大的应用潜力，成为了材料科学和光电子学领域的研究热点。

纳米硅量子点作为一种准零维的纳米材料，具有显著的量子尺寸效应。当硅的尺寸减小到纳米量级时，其电子态由体相的连续能带转变为分立的能级，这使得纳米硅量子点能够发射出可见光，突破了体硅材料间接带隙导致发光效率低的限制。这种特性使其在硅基发光二极管、光电探测器、量子