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探秘掺杂的锑碲与锗碲相变薄膜：制备工艺与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的今天，数据存储技术作为信息产业的关键支撑，其重要性不言而喻。随着大数据、人工智能、物联网等新兴技术的蓬勃兴起，对数据存储的容量、速度、稳定性以及能耗等方面提出了前所未有的高要求。相变存储器作为一种极具潜力的新型非易失性存储技术，凭借其独特的优势，如快速的读写速度、高存储密度、低能耗以及良好的稳定性等，成为了学术界和产业界研究的焦点。

相变存储器的核心组成部分是相变材料，而锑碲（SbTe）和锗碲（GeTe）基相变薄膜由于其优异的相变特性，在相变存储领域展现出了巨大的应用潜力。SbTe薄膜