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FeCo基磁各向异性三明治薄膜：层间交换耦合与光学模共振增强的协同探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的时代，电子、通信等领域对材料性能的要求不断提升，高性能磁性材料成为推动这些领域进步的关键因素之一。FeCo基磁各向异性三明治薄膜作为一种新型磁性材料，因其独特的物理性质，在多个领域展现出巨大的应用潜力。

从电子领域来看，随着集成电路技术朝着更小尺寸、更高性能的方向发展，对磁性薄膜的要求也日益严苛。FeCo基薄膜具有高饱和磁化强度，这使得它在微型化的磁性存储元件中能够提供更强的信号，有效提升存储密度和读写速度，有助于缓解当前数据存储面临的容量瓶颈问题。其良好的软磁性能，即低矫顽力和高磁导率，使得在高频电路中，如射频识别（RFID）技术和微波通信模块，能够减少能量损耗，提高信号传输的效率和稳定性，对于实现电子设备的小型化和高效化至关重要。

在通信领域，5G乃至未来6G通信技术的发展追求更快的数据传输速率和更稳定的信号覆盖。FeCo基磁各向异性三明治薄膜在天线系统中的应用，可以通过优化其磁性能来增强天线的辐射效率和方向性，改善通信信号的质量，减少信号干扰，为实现高速、稳定的无线通信提供有力支持。在光通信中，结合其光学模共振特性，有望开发出新型的光磁调制器件，实现光信号和磁信号的有效转换和调控，拓展光通信的应用范围和功能。

而层间交换耦合和光学模共振增强是影响FeCo基磁各向异性三明治薄膜性能的关键因素。层间交换耦合决定了薄膜各层之间磁相互作用的强度和方式，对薄膜整体的磁性能，如磁滞回线的形状、矫顽力的大小等有着重要影响。深入研究层间交换耦合，可以实现对薄膜磁性能的精确调控，满足不同应用场景对磁性能的多样化需求。光学模共振增强则与薄膜的光学性质密切相关，通过增强光学模共振，可以提高薄膜对光的吸收、发射和散射效率，为开发新型的光电器件，如发光二极管、光电探测器等提供可能。因此，研究FeCo基磁各向异性三明治薄膜的层间交换耦合及光学模共振增强，不仅有助于深入理解该材料的物理性质和内在机制，而且对于推动其在现代电子、通信等领域的实际应用具有重要的理论和现实意义。

1.2国内外研究现状

国内外在FeCo基薄膜的研究方面已经取得了丰硕的成果。在制备工艺上，物理气相沉积（PVD）中的磁控溅射技术凭借其能够精确控制薄膜成分和厚度、制备的薄膜质量高且均匀性好等优势，成为制备FeCo基薄膜的常用方法。化学气相沉积（CVD）技术则在制备大面积、复杂结构的FeCo基薄膜方面展现出独特的优势，能够通过调整反应气体的组成和沉积条件，实现对薄膜微观结构和性能的调控。通过优化溅射功率、氩气压力、衬底温度等工艺参数，研究者们成功制备出具有不同微观结构和磁性能的FeCo基薄膜。如通过调整溅射功率，改变了薄膜的生长速率和结晶质量，进而影响了薄膜的饱和磁化强度和矫顽力。

在性能研究方面，众多学者聚焦于FeCo基薄膜的软磁性能、磁各向异性以及高频磁响应特性等。研究发现，通过元素掺杂和添加衬底层的方式可以有效优化FeCo基薄膜的软磁性能。在FeCo基薄膜中添加适量的B元素，能够提高薄膜的电阻率，降低涡流损耗，从而提升其在高频下的软磁性能。利用磁场感生结合应力诱导的方法，成功制备出具有超高面内单轴各磁向异性场的FeCo基成分梯度膜，为实现特定磁性能的调控提供了新的途径。对于高频磁响应特性，研究主要关注铁磁共振频率、磁导率等参数与薄膜结构、成分之间的关系，为其在高频电磁器件中的应用提供了理论依据。

在应用方面，FeCo基薄膜已在薄膜电感、变压器、写磁头等磁性器件中得到了一定程度的应用。在薄膜电感中，利用其高饱和磁化强度和低矫顽力的特性，能够提高电感的储能密度和效率；在变压器中，可降低能量损耗，提高功率转换效率；在写磁头中，有助于实现高分辨率的信息写入。

然而，现有研究仍存在一些不足之处。在层间交换耦合的研究中，虽然已经认识到其对薄膜磁性能的重要影响，但对于复杂多层结构的FeCo基磁各向异性三明治薄膜，层间交换耦合的精确调控和定量描述还存在困难，不同制备工艺和界面状态对层间交换耦合的影响机制尚未完全明确。在光学模共振增强方面，目前的研究多集中在理论模拟和初步实验探索阶段，如何通过实际的材料设计和制备工艺实现高效的光学模共振增强，并将其应用于实际的光电器件中，还需要进一步深入研究。而且，对于FeCo基薄膜磁性能与光学性能之间的协同调控和相互作用机制，研究还相对较少，这限制了其在光磁一体化器件中的应用开发。

1.3研究内容与方法

本研究围绕FeCo基磁各向异性三明治薄膜的层间交换耦合及光学模共振增强展开，具体研究内容如下：一是通过优化磁控溅射工艺参数，如溅射功率、氩气压力、衬底温度等，